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| ZnO/MgZnO单量子点内的激子态和带间光跃迁 | |
| 引用本文： | 危书义,魏玲玲,王雁.ZnO/MgZnO单量子点内的激子态和带间光跃迁[J].河南师范大学学报(自然科学版),2007,35(3):217-217. |
| 作者姓名： | 危书义 魏玲玲 王雁 |
| 作者单位： | 河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 河南省自然科学基金 |
| 摘 要： | ZnO作为一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,激子结合能高达60 meV,有较低的介电常数,以及好的光电和压电特性.和ZnSe、GaN和SiC相比,ZnO显示出更大的发展潜力. |
| 关 键 词： | 量子点 内建电场 激子 ZnO |
| 文章编号： | 1000-2367（2007）03-0217-01 |
| 修稿时间： | 2007-06-12 |
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