|
|||||
|
|
| 高d33.g33值PZT压电陶瓷材料中Sb2O3掺杂的作用 | |
| 引用本文： | 周桃生,王世敏,顾豪爽,何云斌,邝安祥,孙文华.高d33.g33值PZT压电陶瓷材料中Sb2O3掺杂的作用[J].湖北大学学报(自然科学版),1996,18(3):275-277. |
| 作者姓名： | 周桃生 王世敏 顾豪爽 何云斌 邝安祥 孙文华 |
| 作者单位： | 湖北大学压电陶瓷技术研究所，武汉工业大学测试中心 |
| 基金项目： | 湖北省教委重点研究课题 |
| 摘 要： | Ｓｂ２Ｏ３对Ｐｂ（Ｚｒ０．５４Ｔｉ０．４６）Ｏ３的掺杂改性具有调整材料四方度（ｃ／ａ）的作用．实验表明，Ｓｂ２Ｏ３的适量添加可使材料四方度的调整达到一个较佳值，从而得到ｄ３３＝５７０×１０－１２Ｃ／Ｎ、ｇ３３＝３２×１０－３Ｖｍ／Ｎ的高压电活性的材料组成．该材料可获得各种重要应用 |
| 关 键 词： | 压电陶瓷材料 掺杂 PZT陶瓷 氧化锑 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |