| SnO2薄膜与n-SnO2/p-Si异质结光电特性的研究 |
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| 引用本文： | 刘咏梅,赵灵智,姜如青,邢瑞林.SnO2薄膜与n-SnO2/p-Si异质结光电特性的研究[J].华南师范大学学报(自然科学版),2014,46(5):45-48. |
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| 作者姓名： | 刘咏梅 赵灵智 姜如青 邢瑞林 |
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| 作者单位： | 1.1．华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州５1０６３1; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11204090)；广东省自然科学基金(S2011010001758)；广东省高等学校科技创新项目(2013KJCX0050)；广东省科技计划项目(2012B010400005，2011B010400022)；广州市珠江科技新星专项(2012J2200031)；广州市越秀区产学研项目(2013-CY -007，2012-TP-002)；广州市天河区科技计划项目 |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，建立SnO2超晶胞模型并进行几何结构优化，对其能带结构进行了模拟计算．结果显示，导带底和价带顶位于G点处，表明SnO2是一种直接带隙半导体．同时，采用脉冲激光沉积法分别在蓝宝石衬底和Si衬底上制备出SnO2薄膜及n-SnO2/p-Si异质结．扫描电镜结果表明，SnO2薄膜晶粒均匀．霍尔测试结果表明，SnO2薄膜载流子浓度高达1.39X1020cm-3．吸收谱测试表明，SnO2薄膜光学带隙为3.37eV．n-SnO2/p-Si异质结的I-V曲线显示出其良好的整流特性．
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| 关 键 词： | 第一性原理 n-SnO2/p-Si薄膜 脉冲激光沉积法 n-SnO2/p-Si异质结 光电性质 |
Investigation on Photoelectric Properties of SnO2 Films and n-SnO2/p-Si Heterojunction |
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| Liu Yongmei,Zhao Lingzhi,Jiang Ruqing,Xing Ruiling.Investigation on Photoelectric Properties of SnO2 Films and n-SnO2/p-Si Heterojunction[J].Journal of South China Normal University(Natural Science Edition),2014,46(5):45-48. |
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| Authors: | Liu Yongmei Zhao Lingzhi Jiang Ruqing Xing Ruiling |
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| Institution: | Liu Yongmei;Zhao Lingzhi;Jiang Ruqing;Xing Ruiling;Institute of Optoelectronic Materials and Technology,South China Normal University;Guangdong Yangcheng Illumination and Lighting Electronics Research Institute; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | first-principles calculations SnO2 film pulsed laser deposition n-SnO2/p-Si heterojunction optoe-lectronic properties |
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