| N沟硅栅集成开关电容滤波器设计分析 |
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| 引用本文： | 赖宗声,孙克治,刘亿,翟玉宝.N沟硅栅集成开关电容滤波器设计分析[J].上海师范大学学报(自然科学版),1988(1). |
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| 作者姓名： | 赖宗声 孙克治 刘亿 翟玉宝 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，上海无线电十四厂 主任工程师 |
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| 摘 要： | 本文给出了低通、带通、带阻型 MOS 开关电容滤波器单片 IC 电路设计方法。并用通用电路分析程序进行了模拟分析。本文还提出了一种新型双层多晶 N 沟硅栅 E/DMOS 工艺,它能使电路设计有很大灵活性和高集成度。测试结果表明这种电路具有输出电压幅度大(≥14V_(P-P))、通带平坦、纹波小(≤0.1～0.2dB)、动态范围大(≥75dB)之特点。
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| 关 键 词： | 半导体 硅 MOS器件 模拟集成电路 |
A Designing Analysis of the N-Channel Polysilicon Integrated SCF |
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| LAI ZONGSHENG SUN KEZHI LIU YI ZHAI YUBAO.A Designing Analysis of the N-Channel Polysilicon Integrated SCF[J].Journal of Shanghai Normal University(Natural Sciences),1988(1). |
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| Authors: | LAI ZONGSHENG SUN KEZHI LIU YI ZHAI YUBAO |
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| Institution: | Department of Electronics Science and technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor silicon MOS device analog integraited circuit |
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