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| MOCVD生长高铝值Al_xGaAs(x≥0.7)中的碳掺杂 | |
| 引用本文： | 王成新,黄柏标,徐现刚,秦晓燕,于淑琴,蒋民华.MOCVD生长高铝值Al_xGaAs(x≥0.7)中的碳掺杂[J].山东大学学报(理学版),1997(3). |
| 作者姓名： | 王成新 黄柏标 徐现刚 秦晓燕 于淑琴 蒋民华 |
| 作者单位： | 山东大学晶体材料研究所 |
| 摘 要： | 报道了ＭＯＣＶＤ生长的高铝值ＡｌｘＧａＡｓ（ｘ≥０．７）中的非故意碳掺杂．实验研究了Ⅴ／Ⅲ比、生长温度、生长压力、生长速率对载流子浓度的影响，实验发现：碳掺杂主要取决于Ⅴ／Ⅲ比、生长压力、生长速率．在６５０℃到７６０℃之间，生长温度对碳掺杂没有太大影响． |
| 关 键 词： | MOCVD 碳掺杂 Al＿xGa＿（1－x）As |
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