| 掺杂均匀ATGSAs单畴晶体的生长 |
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| 引用本文： | 房昌水,王民,吕孟凯.掺杂均匀ATGSAs单畴晶体的生长[J].山东大学学报(理学版),1986(Z1). |
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| 作者姓名： | 房昌水 王民 吕孟凯 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料研究所，山东大学晶体材料研究所，山东大学晶体材料研究所 |
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| 摘 要： | 通过观察晶体的畴结构和测量晶体的铁电,热电,介电性能,确定了ATGSAs 晶体的畴结构,性能和生长条件之间的关系,并利用定向生长技术,成功地培育出了大面积掺杂均匀的 ATGSAs 单畴晶体,已用来制出高质量的热释电摄象管和探测器。
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| 关 键 词： | ATGSAs晶体 晶体定向生长 |
HOMOGENEOUS BULK DOPED ATGSAs SINGLE DOMAIN CRYSTAL GROWTH |
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| Fang Changshui Wang Min Lu Mengkai.HOMOGENEOUS BULK DOPED ATGSAs SINGLE DOMAIN CRYSTAL GROWTH[J].Journal of Shandong University,1986(Z1). |
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| Authors: | Fang Changshui Wang Min Lu Mengkai |
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| Institution: | Institute of Crystal Materials |
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| Abstract: | Domain structure and physical properties of ATGSAs crystal are investigated.The relation among the growth conditions,domain structure and pyroelectric properties are given.The homogeneous bulkdoped ATGSAs single domain crystals are grown by the orientation
growth technology. |
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| Keywords: | ATGSAs crystal crystal orientation growth |
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