| 金属硅化物—硅功率肖特基二极管 |
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| 引用本文： | 宁宝俊,赵忠礼,等.金属硅化物—硅功率肖特基二极管[J].北京大学学报(自然科学版),1993,29(1):71-78. |
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| 作者姓名： | 宁宝俊 赵忠礼 |
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| 作者单位： | [1]北京大学微电子学研究所 [2]北京电力电子研究开发中心 |
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| 摘 要： | 本文用X射线衍射（XRD）方法、俄歇电子能谱（AES）分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流－电压法和电容－电压法测量分析了TiSi2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi2/N-Si三种肖特基势垒二极管特性，其势垒高度分别为0．61eV、0．66eV0．66eV，理想因子均接近1。用此项技术制作的金属硅化物－n型硅肖特功率二极管有优异的电学性能。
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| 关 键 词： | 金属硅化物 肖特基二极管 |
Metal Silicides/Silicon Power Schottky Diodes |
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| NING Baojun,GAO Yuzhi,ZHAO Zhongli,ZHANG Lichun.Metal Silicides/Silicon Power Schottky Diodes[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis,1993,29(1):71-78. |
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| Authors: | NING Baojun GAO Yuzhi ZHAO Zhongli ZHANG Lichun |
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| Abstract: | The formation and characterization of Ti/Si, Ni/Si and Cr/Si metal silicides are inverstigated using X-ray diffraction Analysis, Auger electron spectrum and electrical measurements. Current-Voltage and Capacitance-Voltage measurements are employed to characterize the Schottky barriers of TiSi2/n-Si, NiSix/n-Si and CrSi2/n-Si, which have the barrier heights of 0.61eV, 0.66eV and 0.66eV, respectively. Their ideality factor close to unity. The power Schottky diodes have excellent electrical properties using metal silicides technology. |
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| Keywords: | Metal silicide Schottky diodes |
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