| 纳晶硅氧化层中陷阱态的发光模型 |
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| 引用本文： | 王晓允,张荣涛,于示强,秦朝建. 纳晶硅氧化层中陷阱态的发光模型[J]. 贵州大学学报(自然科学版), 2009, 26(1): 31-35 |
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| 作者姓名： | 王晓允 张荣涛 于示强 秦朝建 |
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| 作者单位： | 贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵州,贵阳,550025;中国科学院,地球化学研究所,贵阳,550003 |
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| 摘 要： | 纳晶硅氧化以后的PL发光带中心明显地钉扎在690nm～750nm波长之间,发光强度有显著的增加。我们通过研究纳晶硅氧化后化学键结构的改变和对应能带结构的变化,表明在较小尺寸纳晶硅的氧化过程中,有Si-O-Si桥键和Si=O双键的形成,产生对应的电子陷阱态出现在带隙中。PL发光的增强和中心波长的钉扎效应可以用纳晶硅中的量子受限理论和带隙中的陷阱态模型来解释。其中,陷阱态的位置低于量子受限激发态的位置是PL发光出现钉扎与增强效应的必要条件。
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| 关 键 词： | 光致荧光 多孔硅 陷阱态 |
Trap States in Oxidation Layer of Nanocrystal |
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| WANG Xiao-yun,ZHANG Rong-tao,YU Shi-qiang,QIN Cao-jian. Trap States in Oxidation Layer of Nanocrystal[J]. Journal of Guizhou University(Natural Science), 2009, 26(1): 31-35 |
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| Authors: | WANG Xiao-yun ZHANG Rong-tao YU Shi-qiang QIN Cao-jian |
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| Affiliation: | 1.Key Laboratory of Photoelectron Technology and Application;Guizhou University;Guiyang 550026;China;2.Institute of Geochemistry;Chinese Academy of Sciences;Guiyang 550003;China |
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| Abstract: | After oxidation on nanocrystal Si,the center wavelength of PL band is pinned in the region of 700nm-750nm and its intensity increases obviously.The interralation of the band gap and bonding alteration is examined when Si nanocrystals are oxided.The results of ab initio quantum mechanical calculations show that trap electronic states appear in the band gap of the smaller nanocrystal when Si=O bonds or Si-O-Si bonds are formed.The changes in PL intensity and wavelength can be explained by both quantum confine... |
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| Keywords: | photoluminescence porous silicon trap states |
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