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| PI 电容湿度传感器的研制 | |
| 作者姓名： | 吴正元 陈涛 陈萍丽 |
| 作者单位： | 华中理工大学电子科学与技术系;华中理工大学电子科学与技术系;华中理工大学电子科学与技术系 |
| 摘 要： | 采用集成电路光刻工艺在玻璃衬底上制成了以聚酰亚胺 (PI) 为介质膜,以铬、金为电极的电容式湿度传感器.给出了传感器的制造工艺、湿敏特性和工作原理.测试结果表明:在相对湿度RH为0～96 % 范围内C～RH曲线线性度良好,灵敏度为RH 变化 1 %,电容变化 0.15～0.17 pF,该种湿度传感器的 RH长期稳定性为3 %/a. |
| 关 键 词： | 聚酰亚胺薄膜 电容式湿度传感器 集成电路光刻工艺 |
| 修稿时间： | 1998-11-16 |
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