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PI 电容湿度传感器的研制
引用本文:吴正元,陈涛,陈萍丽.PI 电容湿度传感器的研制[J].华中科技大学学报(自然科学版),1999,27(4):46-48.
作者姓名:吴正元  陈涛  陈萍丽
作者单位:华中理工大学电子科学与技术系
摘    要:采用集成电路光刻工艺在玻璃衬底上制成了以聚酰亚胺 (PI) 为介质膜,以铬、金为电极的电容式湿度传感器.给出了传感器的制造工艺、湿敏特性和工作原理.测试结果表明:在相对湿度RH为0~96 % 范围内C~RH曲线线性度良好,灵敏度为RH 变化 1 %,电容变化 0.15~0.17 pF,该种湿度传感器的 RH长期稳定性为3 %/a.

关 键 词:聚酰亚胺薄膜  电容式湿度传感器  集成电路光刻工艺
修稿时间:1998-11-16.

Development of Humidity Sensors of PI Capacitive
Wu Zhengyuan,Chen Tao,Chen Pingli.Development of Humidity Sensors of PI Capacitive[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1999,27(4):46-48.
Authors:Wu Zhengyuan  Chen Tao  Chen Pingli
Abstract:
Keywords:polyimide thin films  capacitive humidity sensor    photolithographic technology for integrated circuits
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