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本文讨论了ＪＦＥＴ低频噪声与图形结构、材料质量等的关系，提出几点设计原则．用设计的管芯图形．配合一些新工艺技术，可研制成具有优异特性的低频低噪声高跨导ＪＦＥＴ３ＤＪ４１５．测量了该器件的噪声性能，并与通用器件作了比较． 相似文献
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林立炜 《福州大学学报(自然科学版)》1985,(2):70-74
证明了Ｃ≠０时与Ｃ＝０时的高斯象点是相同的．指出物在旋转对称的磁场内可以成象，但不 存在焦点． 相似文献
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