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Ｔｈｅ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｉｎ Ｗｈｏｌｅ ＣＩＭＳ Ｌｉｆｅ ＣｙｃｌｅＸｉｏｎｇＧｕａｎｇｌｅｎｇａｎｄＧｕｏＪｉａｎｂｏ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｕｔｏｍａｔｉｏｎ，ＴｓｉｎｇｈｕａＵｎｉ... 相似文献
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采用中频交流磁控溅射方法制备了CIA前驱膜,并采用固态硒化法进行处理,获得了CIAS吸收层薄膜。采用SEM和XRD观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌。结果表明,通过调节CIA前驱膜的Al含量可制备得到Cu/(In Al)原子比接近1,且Al/(In Al)比例可调的CIAS薄膜。CIAS薄膜由Cu(In1-xAlx)Se2固溶体相组成,Al主要是以替代In的固溶形式存在。 相似文献
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采用中频交流磁控溅射方法制备了CIA前驱膜，并采用固态硒化法进行处理，获得了CIAS吸收层薄膜。采用SEM和XRD观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌。结果表明，通过调节CIA前驱膜的A1含量可制备得到Cu／（In＋A1）原子比接近1，且AL／（In＋A1）比例可调的CIAS薄膜。CIAS薄膜由cu（In1-xAlx）Se2固溶体相组成，A1主要是以替代In的固溶形式存在。 相似文献
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采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似的PBE平面波超软赝势方法计算了CuIn1-xGaxSe2(CIGS)和CuIn1 -xAlxSe2 (CIAS)的电子结构及光学性质.计算结果表明黄铜矿型CIGS和CIAS都是直接带隙半导体材料,禁带宽度分别为1.34 eV,1.50 eV.计算并对比分析了CIGS和C... 相似文献
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