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1.
高通量材料合成方法和高通量材料表征手段区别于传统低效率的 "试错法"材料发展方法, 极大地加速了材料科学的变革和发展. 通过设计程序进行了高通量 X 射线衍射实验, 在保证数据分辨率条件下, 高效地表征了 La$_{1-x}$Sr$_{x}$TiO$_{3}$ 薄膜上多个数据位点的晶体结构, 验证了其成分的连续变化性质, 为后续开展更多类型的高通量 X 射线衍射实验提供了指导.  相似文献   
2.
A harmonic diffractive element (HDE) is first successfully introduced to the athermal system of infrared dual band in this paper. In this system, there are only three lens and two materials, silicon and germanium. When the temperature ranges from -70℃ to 100℃ in the dual band,it can simultaneously accomplish the rectification of the longitudinal aberration in the big field of view, as well as the wave front aberration less than 1/4 wavelength. Modulation transfer function of dual band approaches or attains the diffraction limit. The calculation results show that the spectral properties of the HDE are between refractive and diffractive elements, so we can design a simple dual-band and athermal optical system by selecting the thickness and central wavelength of the HDE exactly. Compared with a conventional refractive optical system, this system not only reduces the demand for high technical levels, but also has a compact structure, few elements, a high transmittance better aberrations performances and athermal character. At the same time, the use of the HDE also offers a new element for the infrared optics design.  相似文献   
3.
4.
激光光束质量是一个很有现实意义的论题,对不同应用的激光光束其质量的评价标准一般不同。给出了几种有代表性的激光光束质量的评价方法,并分别对各种评价标准的合理性与适用性进行了详细的分析;研究了实际应用中对激光光束质量的一些要求和相关的评价参数。  相似文献   
5.
数字     
《华东科技》2008,(7):6-8
30皮瓦美国密歇根大学宣布,该校研究人员开发出一种超级节能微型芯片,在正常工作模式下耗电量是普通芯片的十分之一,在"睡眠模式"下用电量则低至三万分之一。这一名为"凤凰处理器"的芯片创造了低耗电量的新纪录。在"睡眠模式"下,它的能耗仅为30皮瓦(1皮瓦为  相似文献   
6.
实验以CH3CH2OH和H2 为气源,用微波等离子体CVD法沉积金刚石膜,并用金相显微镜(×400)观察其沉积效果,X射线衍射仪表征其成膜质量,最后分析反应气压对金刚石膜的影响.  相似文献   
7.
本文利用 X 射线衍射分析、透射电镜等技术,研究了几种热处理制度下 Cu—27.84 Al—3.82 Ni(at%)合金中析出相;用会聚束(CBED)技术测定了析出相与马氏体的取向关系。结果表明:分级处理试样中析出相 r_2是复杂立方结构,晶格参数 a=0.87nm;大量弥散的折出相引起共格应变场,从而使分极处理试样 X 射线衍射峰型宽化;r_2与2H 马氏体的取向关系为;[00]2H‖[001]_r_2,(10)_(2H)‖(300)_r_2。  相似文献   
8.
9.
10.
采用伊滕(Ito)法,对无机离子交换剂Ti(HPO4)2·2H2O的晶胞参数和衍射指标进行了计算.确定该晶体属单斜晶系,简单单斜点阵.晶胞参数为:a=0.714nm,b=2.302nm,c=0.680nm,β=111.4°  相似文献   
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