发光二极管的禁带宽度和阈值电压、正常工作电压间关系的再研究

通过对发光二极管的阈值电压和正常工作电压的测量,比较由光波长估算的禁带宽度与阈值电压和正常工作电压,得出半导体发光材料的禁带宽度应在阈值电压和正常工作电压之间,且有的更接近正常工作电压的结论。     

GaAs/AlAs异型异质结导带研究

利用泊松方程分析了异质结导带形状，通过数值模拟研究了GaAs/AlAs异型异质结在不同掺杂浓度下的导带图，确定了导带尖峰出现的位置和耗尽区宽度。     

光子晶体的制备及其应用

介绍了光子晶体的基本概念、主要特征及其制备方法和应用前景。     

二维声子晶体的弹性波禁带及其影响因素

选取了5种不同材料组分和2组不同截面形状散射体的声子晶体作为研究对象，利用平面波展开法研究了二维固相双组分正方点阵声子晶体中z向剪切波的频率带结构，探讨了材料特性和截面形状对禁带的影响．结果表明：填充物的密度和弹性模量比基体的大时，容易产生弹性波禁带，材料的密度比剪切模量更能影响弹性波禁带的宽度，圆截面散射体的结构在总体上比正方形截面更容易产生弹性波禁带．     

一维光子晶体的光子禁带结及其计算

本文提出了一种利用转移矩阵来计算一维光子晶体的光子禁带结构的新方法，并讨论光子晶体的光子禁带位置，禁带宽度和结构与构成光子晶体的材料厚度，折射率之间的相互关系．     

自组装金属酞菁聚合物的合成及表征

通过逐步聚合的方法合成了一种新的含有长烷基链的金属酞菁的聚合物,这种自组装的聚合物有很好的溶解性能,且很容易成膜,并对其光以及电化学性能进行研究.从紫外可见光谱图中可以看到两个强的吸收带,分别位于600-700 nm,以及300-400 nm.这种物质具有低的禁带宽度(Eg<1.8 eV),很容易吸收太阳光.采用332 nm的光作为激发光源,它的溶液的发射峰出现在402nm.从循环伏安图上可以观察到,两个可逆的氧化还原过程出现在0.64 V,-1.10 V.     

高温晶闸管的研究

本文探讨了在半导体晶闸管(SCR)制造过程中,采用合理的工艺手段,提高SCR最高工作结温,并使之尽量达到理论值的方法.     

电腐蚀法制备n-Bi_2 S_3光电极

电腐蚀法是以金属腐蚀原理为基础的。它是一种极为简便的制备光电报的方法。对于n—Bi_2S_3光电极的制备,只要将镀有铋的金属或导电膜放在电腐蚀液(硫化物电解质溶液)中,加上一定的电压,便可在金属基板或导电膜上形成一层具有光电性的硫化物沉积物,此即n—Bi_2S_3,且有半导体性能,其禁带宽度为1.22ev。它在一定的电解液中具有较好的稳定性,我们对n—Bi_2S_3电极进行了初步的研究,发现在光的长期照射下,光电性基本不变。     

Co掺杂对Zn1-xCoxO稀磁半导体光学性质的影响

溶胶-凝胶法制备了Co掺杂的ZnO基稀磁半导体,研究其粉体和薄膜的结构和光学特性.X射线衍射结果表明Co2 随机替代Zn2 位置进入ZnO晶格,并引起晶格常数的变化.紫外-可见透射光谱表明样品的禁带宽度随着Co掺杂浓度的增大呈现非单调变化规律,低浓度掺杂样品的光学带隙随掺杂浓度增大而减小(红移),这是由于Co2 替代Zn2 ,局域d电子与能带电子之间的sp-d交换耦合引起的.     

具有缺陷态的二维光子晶体通讯波长滤波器的结构优化设计

采用平面波展开法分别模拟设计了理想和带有点缺陷与线缺陷的二维光子晶体能带结构;进一步构建具有点缺陷和线缺陷联合结构滤波器,通过改变介质折射率、介质柱半径和背景材料折射率,使点缺陷的滤波中心波长处于光子晶体禁带中的1.31和1.55μm两个主要通迅波长.同时,采用时域有限差分算法模拟滤波器的传播和滤波频谱特性,结果显示,该结构滤波器的滤波频谱中心波长刚好分别位于1.31和1.55μm,透射峰尖锐,显现出优良的滤波特性.