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采用燃烧法制备Sr2SiO4:Eu2+发光材料。采用X线衍射仪、扫描电镜和荧光光度计对样品的晶体结构、微观形貌和光谱特性进行表征。研究结果表明:退火后样品的晶体结构属于正交晶系的α′-Sr2SiO4,掺杂Eu2+对晶体结构没有影响。荧光光谱测试表明:Sr2SiO4:Eu2+材料的激发和发射光谱均为宽带谱,激发和发射主峰分别为335 nm和493 nm,分别对应于Eu2+的4f7→4f65d1和4f65d1→4f7跃迁。随着点火温度的增加,激发和发射光谱强度均呈先增后降的变化。点火温度750℃时材料的激发和发射峰强度最大。随着Eu2+掺杂量的增加,Sr2SiO4:Eu2+材料的激发和发射强度均先增大,在掺杂0.01 mol Eu2+时达到最高值,而后随着Eu2+掺杂量的增大,激发和发射峰强度减小。制备的Sr2SiO4:Eu2发光材料有望用于白光LED领域。 相似文献
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采用燃烧法制备Sr2SiO4∶Eu2+发光材料.采用X线衍射仪、扫描电镜和荧光光度计对样品的晶体结构、微观形貌和光谱特性进行表征.研究结果表明:退火后样品的晶体结构属于正交晶系的α'-Sr2SiO4,掺杂Eu+对晶体结构没有影响.荧光光谱测试表明:Sr2SiO4∶Eu2+材料的激发和发射光谱均为宽带谱,激发和发射主峰分别为335 nm和493 nm,分别对应于Eu2+的4f7→4f65d1和4f65d1→4f7跃迁.随着点火温度的增加,激发和发射光谱强度均呈先增后降的变化.点火温度750℃时材料的激发和发射峰强度最大.随着Eu2+掺杂量的增加,Sr2SiO4∶Eu2+材料的激发和发射强度均先增大,在掺杂0.01 mol Eu2+时达到最高值,而后随着Eu2+掺杂量的增大,激发和发射峰强度减小.制备的Sr2SiO4∶Eu2发光材料有望用于白光LED领域. 相似文献
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采用溶胶一凝胶技术两步法把Eu(BA)3掺入到SiO2中制备Eu(BA)3/SiO2复合发光材料,并对其发光性能进行研究.研究结果表明,制备Eu(BA)3/SiO2复合发光材料的晟佳工艺条件是水与正硅酸乙酯摩尔比为4,正硅酸乙酯、盐酸和六次甲基四胺的摩尔比为17.5×10-45×10-3,陈化温度为40℃,掺入SiO2中的苯甲酸和铕离子的摩尔比为31,苯甲酸铕掺入量为1%.对Eu(BA)3粉体和Eu(BA)3/SiO2复合发光材料荧光光谱进行比较发现Eu(BA)3/SiO2复合发光材料激发光谱最大吸收峰变窄,同时发生蓝移,由288 nm蓝移到280 nmEu(BA)3/SiO2复合发光材料发射光谱在594 nm和618 nm处分别出现Eu3 的5D0→7F1和5D0→7F2跃迁发射,单位质量稀土配合物的发光强度是Eu(BA)3粉体的3倍左右. 相似文献
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利用束箔光谱技术研究HI—13串列加速器提供的能量为80MeV和110MeV的Cu束与靶室中的碳膜碰撞激发光谱的情况。 相似文献
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合成了新型蓝色光致发光材料Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Ce(3+),并对其进行了光谱测试.分析了Ce(3+)在Ca8Mg(SiO4)4Cl2晶体中应占据的晶体学格位.测试结果表明,在紫外光激发下,Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Ce(3+)的发射光谱为一峰位在410nm~425nm之间的宽谱带,经分析确认作为发光中心的Ce(3+)占据Ca8Mg(SiO4)4Cl2晶体中多面体八配位的Ca(Ⅱ)格位. 相似文献
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利用低温燃烧法合成Y2O3:Eu^3+体相及纳米粉体材料,通过XRD图谱和电荷迁移(CT)激发光谱测定粉体的平均尺寸、电荷迁移能及CT激发光谱能量跨度。在理论分析与实验验证的基础上,探讨Y2O3:Eu^3+发光材料的纳米化对电荷迁移(CT)激发所需电荷迁移能的影响。结果表明:在Y2O3:Eu^3+材料发光中心CT激发的谐振子模型中,发光中心的振动频率ω(基态)及ω’(CT态)将随材料纳米尺寸的下降而下降;CT激发光谱能量跨度Espan以及CT激发中发光中心所获得的振动能量Evib将随CT态振动频率ω’的下降而下降;此外,基于发光中心零声子电荷迁移能Ezp以及发光中心振动能量Evib随Y2O3:Eu^3+纳米尺寸的下降幅度,求得CT激发所需电荷迁移能ECt的变化幅度,所得结果与实验测量值基本相符。该文揭示了Y2O3:Eu^3+材料纳米化后CT激发能的下降以及CT激发光谱能量跨度的收缩机理,具有一定的理论和实际意义。 相似文献
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CaS:Bi^3+,Eu^2+磷光全的微波快速合成及其荧光特性 总被引:5,自引:0,他引:5
在微波场作用下,首次快速合成了CaS:Bi^3 Eu^2 红色磷光体。系统考察了Bi^3 ,Eu^2 双掺时各种掺杂浓度对磷光体的晶粒尺寸、形貌及发生性质的影响,发现Bi^3 与Eu^2 离子之间存在着能量传递作用,Bi^3 对CaS:Eu^2 发光有显然的敏化和增强作用。 相似文献
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采用高温固相反应法首次合成了新型红色长余辉发光材料Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+.用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计等对合成产物进行了分析与表征.结果表明:Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+的晶体结构与Gd2O2S相同,为六方晶系.颗粒的形貌为类球形.Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+的激发光谱呈250~400 nm宽带状,激发光谱主峰位于365 nm;发射光谱为线状光谱,归属于Eu3+的5DJ(J=0,1)→7FJ(K=0,1,2,4)跃迁.最强的发射峰为627 nm和617 nm,均属于5D0→7F2跃迁,且627 nm的发射峰明显远强于617nm,显示出纯正的红色发光;并且Si4+和Ti4+离子的共掺杂可显著延长样品Cd2O2S:Eu3+的余辉时间. 相似文献
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我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PIE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质,观测到在GaAs量子阱中上转换发光,首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷,探索了光谱的发光机理. 相似文献