砷化镓基量子级联激光器研究取得重要进展

量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中红外波段单极激光光源,其工作原理与通常的半导体激光器截然不同,它利用垂直于纳米级厚度的半导体异质结薄层内由量子限制效应引起的分离电子态,在这些激发态之间产生粒子数反转。该激光器有源区是由耦合量子阱多级串接组成(通     

C60溶液,孤立分子及薄膜形态电子态结构分析

系统地给出了Ｃ６０在固态薄膜及不同有机溶液形态下的常规吸收光谱和三同商吸收光谱,确定了各相关光学跃迁能量,并通过对可见区电子－－振动光谱结构的指认分析,给出了有机溶液形态下Ｃ６０的能隙,基于Ｍａｘｗｅｌｌ－Ｇａｒｎｅｔｔ有效介质模型理论,由不同有机溶剂形态下Ｃ６０电子态能级结构参数外推获得了Ｃ６０孤立分子的本征电子态能级结构参数,从而为详细了解和研究Ｃ６０分子不同形态下电子态结构的变化提供了较完整     

氢搀杂的内生富勒烯H@C60及外生富勒烯HC+60的结构及电子性质

采用半经验和第一性原理方法研究了单个氢搀杂的内生富勒烯H@C60及外生富勒烯HC60^ 。与Bingel变换实验一致，作者发现氢的确位于C60中心。HC60^ 的几何构型与HC60接近。它的最低空轨道强烈地局域在搀杂氢位。其最高占据轨道与最低空轨道的能隙比C60减小一半。计算的电子谱与实验的一致表明HC60确实能被氧化。     

对称量子点花样体系电容谱

利用从头计算方法, 即基于Gauss基函数的非限制Hartree-Fock-Roothaan (UHFR)方程, 计算对称多量子点花样体系的基态能, 进而研究它们的电子电容谱. 量子点花样中的每一个量子点, 采用球形有限深限制势阱. 结果表明, 计算方法和理论模型不仅能够很好地给出类单量子点的s-壳层和p-壳层的电容峰, 并且给出了对称量子点花样体系电容谱一些新的精细结构. 它将成为研究对称量子点花样体系少电子问题的一种有效可行的方法.     

填隙氧离子对钨酸铅晶体光学性质的影响及绿光起源的研究

应用GULP软件按照能量最低原理确定了钨酸铅(PWO)晶体中填隙氧离子的位置,再用CASTEP软件计算了完整PWO晶体和含有填隙氧离子的PWO晶体的总态密度、分态密度和吸收光谱.计算结果表明,填隙氧离子的存在不会造成PWO晶体可见光区的显著吸收;PWO晶体中的绿光中心可能起源于WO4 Oi.     

量子点量子阱中的极化子

首先研究了量子点量子阱中的电子态，对阱外及阱内的两种束缚态都进行了考虑，然后采用微扰方法，对量子点量子阱系统中的极化子效应进行了研究。最后采用CdS/HgS为材料的量子点量子阱 进行了数值计算，结果显示极化子效应对电子能级的修正明显并且不能被忽略。     

Bloch定理的严格证明及晶体电子态研究

本文用群论严格地证明Bloch定理和系统地讨论晶体中电子态的一般性质而不用解Schro-dinger方程.主要结论是:电子能级分裂为能带;波函数具有平面波与周期函数相乘积的形式,即所谓Bloch函数.所有能带和波函数都用两个好量子数R和K来描写.这些函数形成平移算符{T(R_n)}和哈密顿算符H的共同本征函数完全集合,并具有正交归-性.     

Fe3O4中铁离子电子态的XDAFS研究

用选择Ｂｒａｇｇ峰的Ｘ射线衍射异常精细结构方法测定了Ｆｅ３Ｏ４的ＸＤＡＦＳ谱。结果显示，４００衍射的谷位在２２０衍射谷位的高能量一侧，其位移量约１．４ｅＶ，这表明Ｆｅ３Ｏ４中处于不同晶体学等效位置的两种铁离子的内层电子结构不同。     

H2分子X1∑+g,B1∑+u和C1∏u态的势能函数

使用SAC/SAC-CI方法,利用D95 **、6-311 g**以及cc-PVTZ等基组,对H2分子的基态X1 ∑ g、第二激发态B1∑u u及第三简并激发态C1∏u的平衡结构和谐振频率进行了优化计算.通过对三个基组的计算结果的比较,得出了cc-PVTZ基组为三个基组中的最优基组的结论;使用cc-PVTZ基组,利用SAC的GSUM(Group Sum of Operators)方法对基态X1∑ g、SAC-CI的GSUM方法对激发态B1∑ u和C1∏u进行单点能扫描计算,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie函数,得到了相应电子态的完整势能函数;从得到的势能函数计算了与基态X1∑ g、第二激发态B1∑ u和第三简并激发态C1∏u相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωeχe),结果与实验数据基本一致.     

原子光谱和能级的符号表示

近代物理的两大支柱是量子力学与相对论,在现代科学技术中以量子力学的运用最为广泛,原子物理学就属于量子力学知识体系当中的一个范畴。文章运用玻尔理论及受力分析的方法,针对不同的情况,考虑不同的相互作用,将定态能量和光谱用符号表示,为分析问题、解决问题提供便利。