排序方式: 共有18条查询结果,搜索用时 18 毫秒
1.
溴酚兰水溶液的紫外吸收会随着体系中含酸的量发生变化,在440 nm吸收峰处一定浓度范围内溴酚兰水溶液的吸光度与溶液中酸浓度成正比,可由此测定酸浓度.用这种方法测定了3种不同类型的光产酸剂在聚乙二醇膜层中在低压汞灯(254 nm)照射下的产酸量.其中三嗪光产酸剂的光照产酸能力最强. 相似文献
2.
以松香酸为主原料合成了适用于193 nm光致抗蚀剂的新型阻溶促溶剂,并对其热稳定性、成像性质等进行了研究.结果表明:新型阻溶剂不仅具有良好的热稳定性和阻溶促溶作用,而且在193 nm具有良好的透明性,可以应用于193 nm光刻胶工艺. 相似文献
3.
普通全息记录介质所记录的全息图,由于受到记录介质本身特性的限制,难以产生高质量的全息图.银盐干板所记录的各种漂白全息图,残留银微粒大大降低了全息图的透明度,并直接影响了全息图的衍射效率;用重铬酸盐明胶或光致聚合材料,虽然所制的全息图在透明度及衍射效率上大大优于普通银盐干板,但其特性不稳定,密封保存要求严格,难以长期保存.这些全息图直接记录在胶膜上,容易损伤,限制了它的推广和应用。为此,我们提出了直接在玻璃基底上形成浮雕型的永久性全息图. 相似文献
4.
用化学发光仪研究聚酯型光刻胶及其他对照化合物的发光行为.发现聚酯型光刻胶有较复杂的发光曲线,起始发光温度较低,其发光情况与双键的存在和受热时发生的自由基过程有关.讨论了发光曲线与差热分析曲线的关系,以及与热稳定性有关的合成条件、使用条件和保存期. 相似文献
5.
用光致抗蚀剂为记录介质制作1200条/mm反射全息光栅并测试它的性能。其衍射效率最高可达60%,分辨本领可达到同类型刻划光栅的水平。 相似文献
6.
以改进后的高分子反应法制得了聚呋喃丙烯叉丙二酸-1,3-丙二酯,合成反应时间短,光敏侧基的引进程度高。其光刻应用的最佳曝光时间为8秒(80W汞灯),分辨率0.75μ,是一种高感度、高分辨率聚酯型光致抗蚀剂的新品种。 相似文献
7.
付川 《重庆三峡学院学报》2001,17(2):93-94
正性光致抗蚀剂,能在短时间的光照下分解为可溶性物质,被广泛应用于光刻工艺,是一类新型的电子信患化学品,现介绍正性光致抗蚀剂性的合成原理及施工应用方法. 相似文献
8.
用熔融缩聚法含成的聚酯型光刻胶有较宽的分子量分布.为了获得较好的抗蚀性,需要提高样品的分子量.但此时常因增加了分子量的分布宽度而影响了样品的分辨率.用溶解一分级沉淀的方法对样品进行处理,除去样品中的高分子量和低分子量部份,所得到的中间级分的分辨率比原样品有明显提高.若仅将样品除去小分子量部份,对光敏性和抗蚀性亦有明显提高.文中还讨论了分级后样品分辨率提高的原因. 相似文献
9.
用光致抗蚀剂为记录介质制作1200条/mm反射全息光栅并测试它的性能._其衍射效率最高可达60%,#FK分辨本领可达到同类型刻划光栅的水平. 相似文献
10.
Juan Liu ? Zhengping Liu ? Liyuan Wang ? Haiyan Sun 《科学通报(英文版)》2014,59(11):1097-1103
Calix[4]resorcinarene, prepared by the acid- catalyzed condensation of resorcinol and paraldehyde, was used as the core of the molecular glass compound. The hydroxyl groups of calix[4]resorcinarene were partly pro- tected by tert-butoxycarbonyl (t-BOC) and then esterified with 2-diazo-l-naphthoquinone-4-sulfonyl chloride (2,1,4- DNQ-C1). Upon irradiation to 365 nm light, the 2,1,4-DNQ groups undergo photolysis to generate a small quantity of sulfonic acid other than indene carboxylic acid. The gen- erated sulfonic acid can further catalyze the deprotection of the t-BOC group. So, a new type of single-component chemically amplified i-line positive photoresist can be formed by the molecular glass compounds. The litho- graphic performance of the resist was evaluated with high resolution and photosensitivity with an i-line stepper. 相似文献