p-Si TFT的电场增强MILC制备技术

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,并采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/(V·s),开关态电流比为5×106.采用拉曼光谱分析、X射线衍射、扫描电镜等微观分析手段对多晶硅薄膜进行了分析,结果表明加电场于两电极之间有促进多晶硅薄膜晶化的作用.采用EFE-MILC技术获得了大的晶粒尺寸,并用此技术制备了p沟多晶硅TFT.表明EFE-MILC技术是在低温下获得大晶粒尺寸p-Si薄膜和高性能p-SiTFT的好方法.     

铸造多晶硅的吸杂

吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响;同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.     

简论发展我国太阳电池及多晶硅产业

对国内外太阳能光伏发电产业的发展现状进行了评述,指出了我国光伏发展在政策、技术和应用方面存在的一些问题,并就我国太阳电池与多晶硅材料关键技术的发展提出了看法与建议。     

光伏材料实验室 巧妙利用太阳的能量

一小片薄如塑料的柔性薄膜,可以让手机电池快速充电;来自于大自然的太阳能直接转化为直流电给实验大楼提供照明电源;实验操作平台如同智能机器人,自动记录太阳能电池板的运作情况,阴雨晴风、干湿状况一目了然,犹如气象站;每个矩阵太阳能电池板都像跟随太阳的向日葵,随着光线角度的不同主动调整以达到吸取最多太阳能,达到最高的转化效率,供给大楼照明。     

多晶硅太阳电池的有效等离子体氢钝化

文章报道了一种用于多晶硅太阳电池氢纯化的简单试验装置，等离子体氢是通过辉光放电方法产生。三类完成电极制作的多晶硅太阳电池用于氢纯化试验，伏安特性测试结果表明，经过等离子体氢纯化后的太阳电池性能都有所提高，电池的光电转换效率相对改善高达10.6%。     

SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响

以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 ,但仍有较多的小晶粒存在     

多晶硅原料处理过程中质量控制措施探讨

多晶硅质量受多方面因素影响,本文结合生产实际,分别从提高原料纯度,加强分析手段、控制生产过程中的温度、合理选择混合气配比、保持设备洁净、强化精馏效果、提高质检工作人员业务素质和质量意识等方面进行了分析,以逐步提高多晶硅质量。     

多晶硅工厂压缩空气站设计浅析

本文主要介绍了多晶硅工厂压缩空气站的相关设计内容,对空压机、干燥机以及储气罐的要求进行了详细的描述。     

定向凝固多晶硅中细晶产生的原因分析

铸锭多晶硅是目前最主要的光伏材料，其结晶组织的形貌对太阳能电池的转换效率有着显著的影响．粗大均一的晶粒有利于得到高质量的硅片，从而提高电池转化效率．而在多晶硅锭的中心区域经常发现晶粒尺寸小于1mm2的细晶，其电学性能较差，影响该部分硅片的质量．本文设计了两种不同结构的热场，利用计算机仿真技术和实验测量，结合组分过冷理论，对细晶形成机理和影响因素进行了探讨．研究表明，提高结晶界面前沿熔体的温度梯度与结晶速度的比值G／V、增强界面前沿熔体的对流强度，并维持较为平坦的结晶界面，有利于避免细晶的产生．