部分充满介质的理想螺线管条件

一般教科书中都提到，理想螺线管（指内部磁场均匀，无漏磁）的条件是无限长（相对而言），绕线蜂蜜。但对绕线是否应该均匀则未做详细论述。本文试图指出，在无介质情况下理想螺线管的绕线都是均匀的，但在部分充满介质的情况下，均匀的绕线反而会破坏“理想”的条件。     

ZrO_2纳米微粒红外振动特征

测定了单斜ＺｒＯ_２纳米材料在各种粒度下的付里叶变换红外光声光谱（ＦＴ—ＩＲ—ＰＡＳ），发现随粒度的减小，大部分的谱线位置蓝移，而有些谱线的位置红移，同时在不同频段，有的强度增强，有的强度减弱甚至消失。研究了量子尺寸效应和介电限城效应对其光学特征的影响，对观察到的物理现象进行了物理机制探讨     

单涂层吸波材料的优化设计及偏差研究

本文通过对单涂层吸波材料内电磁波传输损耗机理的细致研究，提出了单涂层吸波材料优化设计的两项原则。结合具体实例详细说明这两项原则的具体应用，最后讨论涂层电磁参量在偏离匹配条件的情况下，对涂层吸波性能影响的具体结果分析。图３．表１，参３。     

介质腔稳频MIC射电接收的研究

本文研究的是射电望远镜中的本机振荡源、混频器和前中放三部分的混合MIC,对高Q介质稳频的反射型与反馈型两种振荡器的综合方式,理论上作了重点分析探讨,并研制成带有DRO的MIC组件。     

Abnormal dielectric characteristics of PMN-32%PT single crystal under dc bias

It has been reported that the single crystal of relaxor ferroelectrics (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMN-xPT) with the compositions near the morphotropic phase boundary (MPB, 0.28相似文献   

用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征

采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试,研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布     

SrGa2S4:Ce blue TFEL in new structure

SrGa₂S₄: Ce blue TFEL device with a novel structure was prepared by electron beam evaporation. The dielectric constant of insulator layer in this structure is far less than that in the conventional structure, so the hot-electrons can be accelerated in SiO₂ layers. The stable TFEL with good chromaticity was achieved and the basic characteristics were investigated.     

SrxBa1—xTiO3陶瓷的频域介电谱

用固相反应法制备ＳｒｘＢａ１－ｘＴｉＯ３系列陶瓷．当ｘ＝０．３０时呈现显著的驰豫相变特征．在５Ｈｚ至１ＭＨｚ范围,相对介电常数的实部ε′随频率ｆ的降低而增大．１／ε′与ｌｇｆ的关系曲线呈现折曲的２段直线．高频相对介电常数的实部ε′ｈ随ｘ的增加而增大是与顺电相的增加而对应．测量点（ε′,ε″）随频率ｆ的变化分布在复平面的一条直线上．