等离子显示用稳定发光BaMgAl10O17:Eu2+荧光粉的制备及其性能

利用微乳液—共沉淀高温法制备出了掺杂Eu2 摩尔比为10%的BaMgAl10O17:Eu2 (BAM)蓝色发光荧光粉。X-射线衍射(XRD)图谱分析表明所得粉体为单一相;场发射扫描电镜(FE-SEM)照片及粒度分布测试均显示其粒径在2μm左右;真空紫外光辐射下的发光光谱(VUV-PL)显示所得粉体在147及172 nm处有较强的真空紫外吸收,172 nm光激发下的粉体在450 nm处呈现强的宽带发射;单指数拟合后的荧光寿命是1.03μs;最大内量子效率值为0.87±0.04;色坐标(x=0.144,y=0.063)显示所得粉体发光位于标准蓝色区;高温及真空紫外光照射劣化试验表明,利用该方法制备的BAM更稳定、更适合于等离子显示的应用。     

8-羟基喹啉合锂作为发光层的明亮电致发光器件

以LiOH与 8_羟基喹啉反应合成了 8_羟基喹啉合锂配合物 ,用元素分析、热重分析和红外吸收光谱分析确定了其组成为Li (C9H7NO)·4H2 O ,结果表明该配合物是热稳定性高、升华性好、光致发光性能优越的蓝色发光材料 ;以该配合物作为发光层和电子传输层 ,用真空镀膜法得到了结构为ITO TPD LiQ Al的明亮的蓝 -绿色电致发光器件。     

硅基低维结构的电子态和光学性质

Canham的文章发表以后，引起了世界范围的研究热潮，目的是实现硅基的集成光电子技术．其中一个主要的研究方向是多孔硅的发光机制．根据各自的实验结果提出了不同的模型：量子限制、表面态复合、硅氧烷及其衍生物、以及声子辅助跃迁等．同时开始了理论计算，方法包括：紧束缚、经验赝势、和基于局域密度泛函的第一原理方法等．大部分理论计算研究的是量子限制对多孔硅和纳米硅晶发光的效应．计算得到的辐射寿命比直接能隙GaAs中激子的长得多，说明量子限制不能完全解释多孔硅的高发光效率．提出了一个经验赝势的同质结模型来计算多孔硅和纳米硅晶的电子结构．多孔硅的波函数用一组体Si波函数展开，它们的波矢满足周期性边界条件．利用简并微扰论计算了S量子线、量子孔、量子阱层和棱柱晶粒的电子态和光跃迁几率(寿命)．用紧束缚集团模型研究了表面键饱和对Si纳米晶体发光的效应．取表面Si原子的悬键与吸附原子之间的相互作用能量Vs为不同的值，代表不同的吸附原子．发现当Vs的绝对值变小时，能隙减小，同时跃迁几率增加约2个数量级．     

电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响

在不同条件下采用电容耦合氧等离子体处理用于有机电致发光(OLED)的ITO基片,使用接触电势法测量了基片表面功函数的改变.研究发现,氧等离子体处理可以有效地提高ITO表面的功函数.X射线光电子能谱的测量揭示了其本质:氧等离子体处理可以提高表面氧原子的含量,同时降低ITO表面锡/铟原子的比例,由此导致了ITO表面功函数的提高.高功函数的ITO可降低空穴由ITO向OLED空穴传输层中注入空穴的势垒,从而提高OLED器件的性能.进一步的基于联苯二胺衍生物NPB/8-羟基喹啉铝(Alq3)的标准器件的研究证明了这一点.研究同时发现,在相同的真空和氧压条件下,保持处理时间不变,随着射频激发功率的升高,ITO表面功函数会逐渐降低.这个功函数的降低,使得OLED器件的驱动电压升高且电流效率减小.因此使用电容耦合氧等离子体处理的ITO来制备OLED器件,需要在优化的条件下进行,以达最佳效果.在本实验系统下处理条件为射频功率100 W、时间25 s.