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本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ－ＭＯＳＦＥＴ一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。 相似文献
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球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变 总被引：2，自引：0，他引：2
Ｘ射线衍射与高分辨电子显微术证实了在球磨条件下可发生α－ＳｉＣ向β－ＳｉＣ的转变。高分辨电子显微术证实α－ＳｉＣ中的６Ｈ－ＳｉＣ向β（３Ｃ）－ＳｉＣ的转变是通过磨球和粉末碰撞时在相邻密排面上引入不全位错实现的。其基本过程是不全位错的运动使６Ｈ的一个（３，３）堆垛向（４，２），（５，１）至（６，０）堆垛序过渡，形成６层３Ｃ－ＳｉＣ的｛１１１｝堆垛，相继进行这一过程即可完成６Ｈ－ＳｉＣ向３Ｃ－ＳｉＣ的 相似文献
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本文报告了一种 VMOS 管(VMOST)及其制造方法。并从理论上分析了该种短沟 VMOST 阈电压,指出了工艺上的控制方法。介绍了 VMOS 短沟道器件具有高击穿电压,高截止频率的优点。并可以用作功率器件。 相似文献
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利用了平面结击穿电压的归一化表达式,研究了终端带单一场环的P＋N结击穿电压特性,通过解峰值电场方程,给出了确定主结与单浮环最佳间距的简便方法,得到了在未穿通情况下,具有单场保护环平面终端端优化设计的理论公式。 相似文献
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终端带单一场环的P+N结击电压分析 总被引：1，自引：1，他引：0
利用了平面结击穿电压的归一化表达式，研究了终端带单一场环的P 相似文献
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石广元 《辽宁大学学报(自然科学版)》1995,22(A00):68-72
本文论述了双栅ＭＯＳＦＥＴ的特性和工作原理，简单介绍了Ｎ沟Ａｌ双栅ＭＯＳＦＥＴ的结构设计和制造工艺。 相似文献
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鉴于单汞探针C-V法测试半导体材料杂质浓度分布还有不方便之处及不能准确测试n/p;p/n等异型多层结构外延片电阻率分布的弊病,本文提出了双汞探针C-V法。文章中阐述了这种方法的测试原理和测试可行性分析。对各种硅材料样片大量测试结果表明:这种方法即方便又准确,测试结果的重复性相当好。 相似文献
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低压VDMOSFET导通电阻的优化设计 总被引：4，自引：3，他引：1
对低压VDMOSFET导通电阻Ran的各个构成部分进行了理论分析,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的影响,通过这些分析和计算,得出了VDMOSFET单元设计的最佳原则,并给出了低压条件下最佳单元尺寸。 相似文献
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本文概括了VLSI中出现的新的物理现象及其物理模型,指出了VLSI设计中的不可靠因素及设计的最佳化。 相似文献
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本文简要地回顾了腐蚀 V 形槽的几种方法。并以联氨(N_2H_4)腐蚀 V 形糟工艺为主,结合半导体硅的结构报告了腐蚀方法及达到最佳化的条件。并指出了此工艺的应用。 相似文献
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