3d~3组态在D_(3d)对称晶场下的微扰矩阵及对CoCl_2晶体的应用

自然界中存在大量的过渡金属离子(V~(2+) Cr~(3+), Co~(2+))所构成的络合物晶体,其中,不少晶体具有低对称度D_(3d)的立体结构。为了把该类晶体的结构数据同它们的电子吸收谱定量地联系起来,本文推导了3d~3电子组态在D_(3d)对称晶场下的哈密顿微扰矩阵公式。作为公式的应用,我们计算了晶体CoCl_2的电子吸收谱。考虑到晶体CoCl_2中卤素配体的特殊结构,我     

CO_3~(2-)的振动和 MnCO_3的精细谱线的联系

我们在文章中讨论了MnCO_3晶体中Mn~(2 )在低对称晶场中的电子吸收谱,本工作进一步研究在25200—26900cm~(-1)范围内出现的精细结构谱线。不少文献报道了MnCO_3晶体的包括精细结构在内的晶场吸收光谱。有别于其它Mn~(2 )的络合物的晶场吸收光谱的一个最显著特点是,MnCO_3晶体在25200—26900cm~(-1)     

卤化物VCl_2在D_(3d)晶体场中吸收光谱的解释

一、引言自然界中存在大量的具有3d~3■电子组态的过渡金属离子V(Ⅱ)、Cr(Ⅲ)和Co(Ⅱ)所构成的络合物,在这些络合物中,不少晶体具有低对称度D_(3d)的立体结构,研究其中某一典型例子,对于该大类的络合物的晶场光谱和磁学性质的讨论具有一定的代表作用.VCl_2属晶体类AX_2(A=M(Ⅱ);X=Cl,Br,Ⅰ)的卤族元素络合物。对于晶体类AX_2,中心金属离子和卤素配体X-之间存在强的共价键效应,利用中心金属自由离子A(Ⅱ)的d     

八配体CdF_2和CaF_2中掺杂Co￣(2+)的电子光谱和g因子研究

在晶体场理论基础上，考虑到掺杂离子引起晶休局域结构畸变和利用Ｃｏ￣（２＋）离子的３ｄ轨道函数，研究了八配位立方晶体ＣｄＦ２和ＣａＦ２中掺杂Ｃｏ￣（２＋）离子的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲ＿ｇ因子．研究表明，局域结构畸变对ｇ因子的影响不应忽略。     

MgO,AgCl和AgBr中Ni^2＋的g因子研究

用分子轨道和双自旋－轨道（双ＳＯ）耦合模型研究了ＭｇＯ、ＡｇＣｌ和ＡｇＢｒ中掺杂Ｎｉ＾２＋（ｄ＾８）离子的ＥＰＲｇ因子。研究表明，由于配体Ｂｒ（４ｐ电子）有大的ＳＯ耦合系数和较强的共价性，其对ＡｇＢｒ：Ｎｉ＾２＋的ｇ因子有重要的贡献。     

Cu2+基态b2g的g因子微扰公式及对Cs2CuCl4和T2CuBr4的应用

近年来 ,文 [1～ 4 ]报道了Ｃｕ2 +(3ｄ9)离子的光学、磁学和电子顺磁共振 (ＥＰＲ)等重要性质 ,但这些文献只研究了六配位八面体四角对称晶场中的 3ｄ9离子基态ａ1ｇ或ｂ1ｇ的性质 ,而在Ｃｕ2 +的有重要应用价值的化合物中 ,大量存在四配位四面体低对称的情况 .因此 ,我们利用晶体场理论推导出了斜方的 3ｄ9/ 3ｄ1离子四面体络离子 (ＡＸ4 ) ｎ - 基态ｂ2 ｇ的ＥＰＲ ｇ因子的三阶微扰式 ,并用该式研究了晶体Ｃｓ2 ＣｕＣｌ4 和Ｔ2 ＣｕＢｒ4 的ＥＰＲ ｇ因子 ,其理论计算与实验结果符合较好 .1　理论在晶体场中 ,考虑到自旋 轨道 (ＳＯ)…     

NaCl:Cu2+的混合基态EPR g因子的研究

考虑到NaCl:Cu2 晶体中 ,络离子 (CuCl6 ) 4- 的局域结构为沿〈0 0 1〉晶轴方向的具有微弱斜方畸变的伸长四角对称 ,引进了 2 A1g态混合进基态 2 B1g 的机制 ,用双自旋 轨道耦合模型和半经验分子轨道法研究了NaCl:Cu2 的EPRg因子 ,获得了理论诠释合理以及计算结果与实验值符合好的满意结果 .     

CaO和YAG中掺杂Fe^3＋,Mn^2＋离子的零场分裂

本文采用Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的ＳＣＦ－ｄ轨道理论，通过分析杂质离子引起晶体中局域结构的变化，研究了晶体ＣａＯ和ＹＡＧ中掺杂Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的零场分鲜明立方分量α和三角分量，合理地解决了在同一种晶体中掺杂Ｆｅ＾３＋离子的零场分裂比Ｍｎ＾２＋离子的大，有时甚至大１个数量级的疑惑。     

四面体Cs3CoX5中络离子CoX2-4(X=Cl,Br)零场分裂D的研究

用双自旋-轨道耦合参数模型研究了四面体四角晶位中络离子CoX2-4(X=Cl,Br)的零场分裂D.研究表明,配体Br对Co2+离子零场分裂D的影响较大.     

Cr^3＋在AgX（X=Cl,Br）四角晶位中的零场分裂和g因子

用双自旋－轨道耦合模型研究了Ｃｒ３＋在ＡｇＸ（Ｘ＝Ｃｌ,Ｂｒ）四角晶位中的零场分裂Ｄ和ｇ因子．研究表明,中心金属离子和配体（Ｃｌ,Ｂｒ）对络合物ＥＰＲ参量的贡献都应考虑．