两非等同纠缠原子与单模光场相互作用系统的纠缠特性

研究了在考虑腔场有能量损耗、原子有自发辐射时,两非等同纠缠原子与单模腔场相互作用过程中两原子之间的纠缠特性。结果表明;两纠缠原子的纠缠特性与两原子初态、腔场耗散系数k、原子的自发辐射率Γ及两原子与腔、场的耦合系数g1g2有一定的联系。     

SiGe合金氧化层中的纳米结构

在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品，用高精度椭偏仪（HPE）、卢瑟福背散射谱仪（RBS）和高分辩率扫描透射电子显微镜（HR-STEM）测量样品的纳米结构，并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱（RBS）中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟，测量并计算出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布，并且反馈控制加工过程，优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件。在硅锗合金的氧化层表面中着次发现纳米锗量子点组成的纳米盖帽薄膜（2nm)，提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧倾泄蝶恋花匹配公式的理论模式模型与实验结果拟合得很好。     

一类多重分形介质膜系的透射特性

应用分形的自相似性和对称性 ,导出电磁波在一类多重分形介质膜系的矩阵迭代关系 ,并计算了电磁波在垂直入射时的透射率 ,结果表明 ,其透射率具有分形的自似特征 ,这一特性可望在光学薄膜设计和光电器件等领域得到应用 .     

任意辛结构下刘维方程的协变描述

任意保守的力学系统，它的任何运动常数能够用来作为哈密顿量。最近的一些研究中，任意辛结构下的量子力学和约束哈密顿系统得到了描述。在这里把它推广到刘维方程，得到了同正则形式下一致的刘维定理。     

关于分形维数计算的两种方法

本文分别利用广义体积和多分形自由能两种方法计算分形维数,其结果均与原来结果一致. 1.利用广义体积计算分形维数 把三维空间中的单位正方体的边长分别划为i,j,k等分,设所得小长方体的边长和体积为r_(i1),r_(i1),r_(k1)和v_1     

耗散电感耦合电路的高阶量子涨落

给出耗散电感耦合电路的量子化，在此基础上研究电荷及电流在能量本征态下的高阶量子涨落。     

广义测不准关系对电子自旋极化输运性质的影响

基于广义测不准关系下的量子理论,研究了电子在FM/FI/FM构成的磁性隧道结中的输运过程中隧穿电导随两铁磁层磁矩与势垒分子场夹角的变化趋势。结果表明广义测不准关系下得到的隧穿电导的值与通常量子理论有很大不同,隧穿磁阻的最小值大于通常量子理论的结果,同时在分子场夹角θ1=0,θ2=π和θ1=π,θ2=0处,隧穿磁阻的值小于通常量子理论的值。     

周期势垒的反射系数

应用特征矩阵方法计算周期势垒的反射系数，所得结论与文献结果一致，但计算方法较为简单，并且便于计算机处理     

耗散型自组织系统耗散参量的临界指数刻划

引入一个无量纲的量MD(耗散参量)来反映一般自组织系统远离平衡时的相对耗散强度。分析结果表明，当系统趋于耗散结构的临界点时，耗散参量MD会出现跃变，即在耗散结构的临界点MD有奇异行为。因此MD在临界点的变化特征可由临界指数来刻划。     

质心系具有平动和转动的柯尼希定理

本文导出质点组在质心坐标系具有平动和转动时的柯尼希定理。