浅谈本科生创新能力的培养

培养出具有创新精神和创新能力的人才是高校素质教育的重要目的之一.该文在如何培养与提高本科生的创新意识、创新思维和创新能力等方面开展了探讨.分析了如何在本科生开展科技创新活动中通过选题、文献阅读、实验以及论文撰写等过程有效地激发和提高学生的创新热情和创新精神,培养出本科生严谨的科学态度,提高学生的知识应用能力、实践能力、独立思考和解决问题的能力,以及培养学生的团队精神、自信心和责任心等,希望寻找到合适的培养模式全面提升本科生的创新能力.     

试论数学认知结构

本文在对认知结构和数学认知结构分析的基础上，提出一个新的数学认知结构模型。该结构模型包括数学经验知识系统、数学认知活动操作系统、数学元认知系统。其中，经验知识系统包括概念、定理、方法和思维决。操作系统包括注意、记忆、意象和思维。从纵向看模型，可以得到注意系统、记忆系统、意象系统和思维系统。而注意系统包括知识系统、注意、数学元认知。     

单晶磁性薄膜铁磁共振线宽的测量

本文在谐振腔微扰理论的基础上,讨论了液相外延生长的YIG薄膜铁磁共振线宽的测量原理及误差来源,同时也对我们所使用的铁磁共振波谱仪进行了必要的描述.该仪器已用于对小于1Oe的线宽进行精密测量,其误差不超过±5％。     

以低纯度Gd为原料制备Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁热效应

研究了以低纯度蒸馏Gd为原料制备的Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金的磁性相变性质和磁热效应. 蒸馏Gd的杂质含量为O: 0.0160% (质量百分数); C: 0.0054% (质量百分数); N: 0.0016% (质量百分数), 低于普通商用Gd, 高于高纯Gd. 对Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金的X射线衍射和交流磁化率测试表明, Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金在253 K存在一级磁性相变; 从磁性相变附近的磁化曲线结果得到的最大磁熵变化为12.5 J/kg·K.     

基于约束三角网探测点线面空间邻近关系研究

由于三角网所蕴涵的地理实体之间的相邻关系,本文基于约束三角网探测点线而之间的空间邻近关系.研究首先建立点线面数据点索引,以索引内所有坐标点组成数据集,以线、而为约束条件,构建约束三角网.然后通过三角网编码,借助数据点索引,探测地理实体间的空间邻近关系.最后基于空间邻近关系推理,将空间邻近关系分为相邻与相离关系,完成全局性点线面空间邻近关系探测.实验结果表明,该算法简单易行,不局限于某两类地理实体,探测结果符合主观认识,为自动探测地理实体空间邻近关系提供了有力工具.     

Er（Ni1—xCox）磁性蓄冷材料的研究

研究了实用型Ｅｒ（Ｎｉ１－ｘＣｏｘ）（ｘ＝０，０．１，０．２）材料的制备方法和它们的物理性能。用Ｃｏ部分替代Ｎｉ后，该材料的居里温度降至１０Ｋ范围内，在温度低于１０Ｋ的温区内，Ｅｒ（Ｎｉ１－ｘＣｏｘ）（ｘ＝０，０．１，０．２）材料的比热容远大于传统的蓄冷材料金属Ｐｂ和其他新型Ｅｒ系磁性蓄冷材料的比热容，磁墒变计算结果表明，Ｅｒ（Ｎｉ１－ｘＣｏｘ）（ｘ＝０，０．１，０．２）材料的Ｅｒ＾＋３离子有效Ｊ     

分析平面分层介质问题的多重直线法

该文给出了一种分析平面分层介质问题的新方法－多重直线法。这一方法将Ｈｅｌｍｈｏｌｔｚ方程在求解区域内用粗、细风格上的插线分别进行离散，通过细网格插线上光滑和粗风格插线上校正的迭代过程求解方程，该方法收敛很快，其计算量为Ｏ（Ｎ）。     

连续双层YIG薄膜铁磁共振中的静磁模式

本文将文献[1]、[2]提出的单层铁磁薄膜的静磁理论扩展到具有单轴各向异性和立方各向异性的异磁化强度连续双层膜系统,考虑了K_u和K_1的影响之后,导出了频散方程式。用该方程式计算(La,Ga):YIG—La:YIG连续双层薄膜的静磁模共振波谱,其结果与实验波谱非常吻合。     

以低纯度Gd为原料制备Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁热效应

研究了以低纯度蒸馏Gd为原料制备的Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁性相变性质和磁热效应.蒸馏Gd的杂质含量为O: 0.0160% (质量百分数); C: 0.0054% (质量百分数); N: 0.0016% (质量百分数), 低于普通商用Gd, 高于高纯Gd.对Gd5Si1.85Ge2.15合金的X射线衍射和交流磁化率测试表明, Gd5Si1.85Ge2.15合金在253K存在一级磁性相变; 从磁性相变附近的磁化曲线结果得到的最大磁熵变化为12.5 J/kg@K.     

高温注氢对钒合金微观结构的影响

研究了500℃高温条件下注氢对V-4Cr、V-4Ti和V-4Cr-4Ti三种合金微观结构的影响。在注氢实验之前,V-4Cr合金的基体清晰干净,而V-4Ti和V-4Cr-4Ti两种合金的基体中则出现很多相互平行和垂直的针状析出相,且大部分析出相周围都存在着位错。在500℃注氢实验之后,V-4Cr合金基体中出现大量的分布不均的黑色点状缺陷和缺陷簇,而V-4Ti和V-4Cr-4Ti两种合金的基体中除产生点状缺陷外,还出现高密度的气泡,且V-4Cr-4Ti合金中气泡的平均尺寸要稍小一些。另外,V-4Ti和V-4Cr-4Ti合金基体中原有的析出相在注氢实验之后都发生不同程度的溶解。在观察V-4Cr-4Ti合金基体中气泡分布规律时发现,在距离晶界25 nm的范围内几乎看不到气泡的存在,由此推断晶界的存在可以抑制氢气泡等辐照缺陷的产生。