一种增强多孔硅光致发光稳定性的方法

以n型单晶硅为基底材料,采用电化学阳极氧化工艺和光化学氧化后处理工艺制备氧化多孔硅,利用扫描电子显微镜、红外光谱仪、荧光光谱仪研究氧化多孔硅形成前后的表面形态、组成、光致发光、耐碱性的变化.结果表明:光化学氧化后处理使n型多孔硅表面岛状硅柱间沟槽变窄,结构中出现Si―O键(波数1 146 cm-1和1 140 cm-1)、OSi―H键(波数2 254 cm-1)振动峰,在碱性介质中具有一定的耐蚀性;空气中贮存50 d,氧化多孔硅光致发光强度下降缓慢,发光峰位置无明显变化,具有良好的光致发光特性.     

应用化学专业认识实习教学模式探索

介绍了近年来应用化学专业在认识实习实践教学环节上的一些探索和实践经验,教学实践证明对于实现专业培养目标、增强对学生工程实践能力和综合素质的培养具有良好的效果.     

高校大学生党员培养发展程序的思考与对策

该文通过简述高等院校大学生党员培养发展程序的现状,同时结合本校的实际工作情况,分析了大学生党员培养发展程序存在的问题,提出完善大学生党员培养发展程序的可行性对策,为新形势下高等院校大学生党员培养发展程序的创新做出努力。     

烷基化多孔硅的制备与表征

以p型单晶硅作为研究对象,采用电化学阳极氧化方法制备新鲜多孔硅以及与十二碳烯进行氢化硅烷化反应形成烷基化多孔硅,利用扫描电子显微镜、红外光谱仪、荧光光谱仪等表征烷基化多孔硅的形态、组成、光致发光、耐碱性等.结果表明,新鲜多孔硅表面呈微米级长方形块状结构,含大量Si-Hx(x=1, 2, 3)键,而氢化硅烷化反应后其表面则变为岛状结构,且出现与烷基有关的C-H键伸缩振动峰;延长氢化硅烷化反应时间,所得多孔硅光致发光峰值强度增加,峰位蓝移,耐碱性有明显提高.     

基于密度泛函的SF6特征分解产物拉曼光谱研究

【目的】为促进 SF6分 解 产 物 拉 曼 光 谱 检 测 技 术 的 发 展。【方 法】基 于 密 度 泛 函 理 论 的 B3LYP 泛 函,采 用 6-31G(2df,p)基组对 SF6,H2S和CF4的分子构型,采用6-311+G(3df,2p)基组对 SO2和CO的分子构型,分别几何优化,优化后计算室温298.15K 下拉曼频率和强度。将结果与 NIST 标准频率比较,利用线性回归研究计算值与实际值的相关性。【结果】优化后的构型都没有虚频存在,且键参数计算值与文献报道偏差很小;拉曼峰计算值与标准值线性相关性很好,两种基组的相关系数R2 分别为0.9997和0.9998;结合实测拉曼光谱优选定性识别 SF6,SO2,H2S,CO 和CF4的特征峰分别为794.10,1365.62,1257.54,2160.52 和415.07cm-1,与各自的 NIST 标准值基本一致。【结论】采用密度泛函理论的B3LYP泛函计算SF6分解产物的拉曼光谱是可信的,为基于拉曼光谱的 SF6分解产物定量检测提供有力的参考。
     

基于密度泛函的SF_6特征分解产物拉曼光谱研究

【目的】为促进SF6分解产物拉曼光谱检测技术的发展。【方法】基于密度泛函理论的B3LYP泛函,采用6-31G(2df,p)基组对SF_6,H_2S和CF_4的分子构型,采用6-311+G(3df,2p)基组对SO_2和CO的分子构型,分别几何优化,优化后计算室温298.15K下拉曼频率和强度。将结果与NIST标准频率比较,利用线性回归研究计算值与实际值的相关性。【结果】优化后的构型都没有虚频存在,且键参数计算值与文献报道偏差很小;拉曼峰计算值与标准值线性相关性很好,两种基组的相关系数R~2分别为0.999 7和0.999 8;结合实测拉曼光谱优选定性识别SF_6,SO_2,H_2S,CO和CF4的特征峰分别为794.10,1 365.62,1 257.54,2 160.52和415.07cm~(-1),与各自的NIST标准值基本一致。【结论】采用密度泛函理论的B3LYP泛函计算SF6分解产物的拉曼光谱是可信的,为基于拉曼光谱的SF6分解产物定量检测提供有力的参考。     

生产实习基地建设模式及其动力机制分析

提出了可行的实习基地建设模式的构建,并对各种实习基地形式存在的动力机制进行了分析.     

因势利导,让学生成为教学活动的主角

阐述了课程教学中学生成为教学活动主角的重要意义和具体实施办法,教学实践表明对实施素质教育、提高教学质量有显著的效果.     

多孔硅/高氯酸钠复合材料的合成与爆炸特性研究

本文采用电化学阳极氧化法制备多孔硅,考察不同氧化条件下多孔硅孔隙率及膜厚的变化情况,研究电化学阳极氧化工艺条件、高氯酸钠溶液浓度以及贮存方法等因素对多孔硅复合材料爆炸反应的影响。结果表明,多孔硅孔隙率随电流密度增大而增大,当电流达到50mA·cm~（-2）以上时略有降低,孔隙率随氧化时间增大而先增大后减小,且氧化时间为30min时最大,孔隙率随氢氟酸浓度增大反而减小;多孔硅膜厚随时间增大而增大。SEM分析表明,多孔硅表面产生裂缝,内部形成硅柱。在电流密度小、氧化时间短的条件下形成的多孔硅复合材料不易爆炸,当NaClO4甲醇溶液质量浓度大于0.098g·mL~（-1）时发生强烈爆炸,将多孔硅复合材料用乙醇浸泡是最为理想的贮存方法。     

化学浸蚀温度对多孔硅粉理化性质的影响

多孔硅是一种由纳米硅原子簇为骨架构成的海绵状结构，具有比表面积高、生物相容性好等特征，能够应用于光电子器件、化学传感、生物医学等领域。笔者以金属硅粉作为研究对象，采用化学浸蚀工艺制备多孔硅粉，利用比表面积测定仪、扫描电子显微镜、扫描隧道显微镜等研究了不同浸蚀温度制备的多孔硅粉比表面积、孔径分布、表面形貌及微结构的变化。结果表明：化学浸蚀方法能够在金属硅粉表面形成含较多纳米尺寸孔洞的多孔硅粉；随着化学浸蚀温度升高，所形成的多孔硅粉比表面积明显增大。