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1.
以葛根素和氧化锗为原料合成葛根素-锗配合物.采用紫外及红外技术对配合物的结构进行初步表征.采用二甲苯诱导小鼠耳廓肿胀炎症模型,以肿胀度和抑制率为抗炎活性指标,测定葛根素-锗配合物的抗炎活性.结果表明,葛根素与锗离子生成了配合物,与锗发生配位的基团是葛根素分子中B环的4'-羟基,而不是A环的7-羟基及C环的羰基.葛根素-锗配合物的抗炎活性(抗炎肿胀度抑制率为75.91%)远远高于葛根素配体(抗炎肿胀度抑制率为32.49%),也远远高于临床常用的甾体抗炎药-氢化可的松(抗炎肿胀度抑制率为48.74%).  相似文献   
2.
以双岛单电子晶体管(SET)为研究对象,采用稳态图和蒙特卡洛法分析双岛SET的周期特性,选取其中的7个典型状态,提出了双岛SET的简化主方程模拟方法,并利用分析所得SET的周期特性而改善简化主方程模拟方法的局限性.结果表明,所提出的模拟方法能够有效模拟双岛SET的电流和电压特性,并能扩展到多岛单电子晶体管.  相似文献   
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