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1.
通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律,讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系,提出了室温抗弯强度大小可以反映硅片高温抗形变能力的观点。  相似文献   
2.
推导了圆片冲击法测试硅片抗弯强度时最大挠度的计算公式.通过薄硅片抗弯强度的测试实验,对因不符合小找度假设产生的误差进行了实验校准,并研究了挠度、厚度比ω/δ与校准系数K的关系.结果表明,符合小挠度假设的范围是ω/δ≤1/7.  相似文献   
3.
本文用电子计算机根据准规则溶液(quasi—regular solution)模型近似,计算了Ga—As—Ge三元系在800,900,1000,1100和1200℃的初晶为GaAs的液相等温线。计算结果和文献中实验测定值符合良好,它比前人报导的规则溶液(regular solution)模型计算值更为符合实验值,这对高温时尤为明显。  相似文献   
4.
研究了硅片力学行为与表面损伤的关系.结果表明,M20金刚砂研磨使硅片表面产生损伤和微小裂纹,研磨硅片在常温工艺中容易破碎,机械强度较低;在高温工艺中容易弯曲或翘曲,抗形变能力差.研磨后化腐30μm左右可使强度提高1倍多,达到材质固有强度,高温弯曲度变化降到磨片的1/4~1/3.研磨片表面7~8μm的微腐也可使强度提高到材质强度的70%~80%,弯曲度变化降到磨片的1/2~2/3.  相似文献   
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