矿山机电专业应用型人才培养的几点思考

煤炭企业需求能在采、掘生产一线从事主要生产设备安装调试、使用操作、维护检修、故障处理、技术创新等应用型人才.作为高(职)校承担人才培养的责任,有义务不断为社会输送理论与实践紧密结合的合格人才.为此针对矿山机电专业人才培养过程中存在的一些问题,探讨了有关的课程体系改革、实验体系创新、工程实习实训及师资队伍建设等问题,其目的就是寻求一种相对有效的方法,来实现培养社会满意的矿山机电专业应用型人才.     

一类超越亚纯函数的差分多项式的值分布

利用Nevanlinna的亚纯函数的值分布理论,研究了超越亚纯函数微分多项式的值分布理论,讨论了差分多项式的特征函数和零点,取得了一个结果.并且对差分多项式零点的一些经典结果建立了差分模拟.     

小型水平轴风力机特征风速的确定与气动特性的实验研究

应用WASP软件,在认为风速服从两参数Weibull分布前提下,对内蒙古4个地区的风资源进行分析,推导出特征风速的计算公式,计算内蒙古4个地区的切入风速和额定风速;然后从低成本角度出发,优化风力机的特征风速,缩短风轮直径,降低制造工艺难度,来优化设计风力机;最后通过风力机气动实验分析和风力机单位面积发电量模拟计算进行了对比验证。结果表明:采用特征风速优化后设计的新翼型风力机输出功率得到提高,并且在实际风场中比传统翼型风力机单位面积发电量平均提高了28.0%.     

基于PSO-GACA的采煤机螺旋滚筒参数优化设计

为了改善滚筒采煤机的装煤性能、增加采煤机的块煤率、提高其产煤经济效益,以叶片外缘直径、内、外螺旋升角、滚筒转速和采煤机牵引速度为设计变量,选择装煤生产率最大和吨煤售价最高作为目标函数,建立了各种几何约束及性能约束,采用粒子群算法和蚁群算法的混合算法(PSO-GACA算法)对螺旋滚筒的参数进行优化设计。结果表明,在保证滚筒不发生堵塞、抛煤距离合理等条件下,优化后的采煤机装煤生产率提高14.5%,块煤率增加13.2%,吨煤售价可提高0.75%。     

生物净化有机废气技术研究进展

综述生物净化有机废气技术的研究进展,包括发展过程、原理及基础理论研究、主要净化设备及特点、填料选择、菌种驯化等,分析了现存问题,并据此提出了一些建议。     

一类推广的Bernstein-Kantorovich算子的逼近性质

主要研究定义在Lp[0,1](1≤p< ∞)上的一类推广的Bernstein-Kantorovich算子Ln(f,sn,x)的逼近性质.利用Ditzian-Totik光滑模ωφ2(f,t)p给出了算子Ln(f,sn,x)的逼近正定理及Steckin-Marchaud不等式.     

齿轮-五杆组合机构运动学特征仿真分析

机械手常采用齿轮-五杆组合机构完成物料抓取动作,它由定轴轮系匀速旋转,向两自由度五杆机构传递运动.由于Ⅱ级杆组轨迹通过第Ⅰ级两个齿轮转角合成为位移输出,致使外伸点位移计算过程相对复杂,基于零件坐标变换求解的通用办法给出齿轮-杆组合机构的运动学推导结果,但编写程序完成仿真及后处理过程仍相对困难.为直观表达机构运动学规律,由AD-AMS软件建立参数化模型,通过改变杆件长度、传动比和连架杆起始角相位差,寻求连架杆输出轨迹的改变规律.仿真结果表明齿轮对两曲柄的运动关联输出导致增大连架杆初始相位角时,外伸杆端点轨迹在横、纵两方向上均增大.     

4自由度串联式机械手轨迹运动学的分析

为了实现4自由度串联式机械手的轨迹控制,为实验室设计一种4自由度串联式机械手的结构,基于D-H坐标变换理论,建立了该机械手位置运动学模型,研究了该模型的正、逆解问题。通过计算机仿真,验证了该模型及其正解的正确性。以此为基础,分析了该4自由度串联式机械手的工作空间,并导出该模型逆解的解析式,为实现该机械手的轨迹的精确控制奠定了基础。     

张家港水域散装化学品泄漏事故风险及对策研究

随着张家港辖区危化品数量的增多,预防、应对化学品泄漏事故越来越受到人们的重视。以张家港水域船载丙烯酸乙酯泄漏事故为例,研究了船舶散装化学品泄漏事故风险因素、风险程度及风险后果。采用历史资料统计分析方法研究了该江段营运船舶发生散装化学品泄漏事故的概率,为4.46×10^-3次/年。利用Chemmap数值模拟方法模拟该江段在不同径流量、风向、潮流等环境条件下发生泄漏事故后的污染物迁移轨迹。基于风险识别和评价,以及数值模拟得到的污染迁移轨迹及关注点受污染程度,从降低事故风险概率和减轻事故后果两方面提出了防范和应急措施。     

自动投影光刻中的暗场对准技术

暗场对准技术是利用光学暗场成像原理和微光真空光电探测技术，使投影光刻硅片上的标记获得大幅值、高信噪比的对准信号通过双池偏差优化软件，借助计算机进行采样控制和数据处理，从而获得很高的对准精度。对多种不同工艺硅片上的标记进行对准试验，精度达０．２μｍ（３σ）。该技术精度高，对硅片光刻工艺的适应性广，可用于大规模集成电路生产硅片光刻时的实际对准工作，使我国的投影光刻技术进入１μｍ特性线宽的实用阶段。