一类具复杂偏差变元二阶泛函微分方程的周期解(Ⅱ)

利用重合度理论研究一类具复杂偏差变元二阶泛函微分方程周期解的存在性，得到了周期解的新结果．     

浅谈新疆棉种脱绒加工技术专利发展战略

为了掌握棉种脱绒加工设备发展的主动权,进一步加强棉种脱绒加工技术的研究,发明创造新的棉种脱绒方式,本文结合目前我国棉种脱绒加工技术专利分析,提出了新疆棉种脱绒加工技术专利战略。     

浅谈专利对企业发展的重要作用

中国入世10年来,凭借中国制造,中国货物贸易出口额的全球排名跃居第一位。今后中国将进一步扩大对外经济技术合作,更加注重加强同世界各国的经济技术交流合作,推动经济发展方式转变和经济结构调整,促进产业结构优化升级。因此,专利技术对于企业发展显得尤为重要。本文将重点阐述专利对企业发展的重要作用。     

一类具复杂偏差变元高阶泛函微分方程的周期解

利用重合度理论研究了一类具复杂偏差变元高阶泛函微分方程的周期解的存在性，在更广泛的条件下，得到了存在周期解的新结果。     

低、特低渗透油藏压裂水平井产能计算方法

考虑低、特低渗透油藏裸眼压裂水平井流体从基质--裂缝--水平井筒及基质--水平井筒的耦合流动,以等值渗流阻力法及叠加原理为基础,将裸眼压裂水平井渗流区域划分为三个流动区域:流体在水平井压裂裂缝内的达西线性流动区域、水力压裂裂缝泄流引起的非达西椭圆渗流区域和流体在地层中的径向渗流区域.建立裸眼水平井水力压裂多条横向裂缝相互干扰的非达西产能预测模型,分析水力裂缝参数对产能影响,揭示裸眼压裂水平井开采变化规律.模拟结果表明:裂缝条数越多,裂缝干扰越强,水平井压裂存在一最优裂缝条数;裂缝沿水平井筒排布靠近两端、中间相对较稀,且两端长、中间短的开发效果最好.     

浅析专利文献对企业技术创新的作用

文章从专利文献的特点、检索方法入手,介绍了专利文献在企业技术创新中的作用,对提高企业应用专利文献的能力提出了相应的措施建议。     

拟南芥动蛋白基因AtKP1的克隆、表达及生物化学特性分析

动蛋白(kinesin)种类很多, 在真核细胞中行使多种功能. 利用3′-RACE 技术从拟南芥中克隆了动蛋白-14B 亚家族中的一个成员, 命名为AtKP1 (拟南芥动蛋白1). 其最大可读框为3.3 kb, 编码1087个氨基酸. 结构域分析表明,AtKP1多肽链中部有一个马达结构域, 氨基端有一个CH结构域, 羧基端一个含有202个氨基酸残基的序列表现出很强的特异性. Northern印迹表明, AtKP1基因在各种器官中广泛表达, 但在幼苗中表达量最大. 将克隆的长度为2808 bp的AtKP1启动子区域与GUS 基因进行了融合, 转基因分析显示, AtKP1主要在幼嫩器官维管束和幼叶表皮毛中表达, 表明AtKP1可能参与了维管束和叶表皮毛的分化或发育. 对AtKP1的马达结构域进行了原核表达和亲和纯化, 生物化学特性研究表明这个马达结构域可以核苷酸依赖的方式与微管结合, 且具有微管激活的ATP酶活性.     

浅谈专利制度对企业发展的作用

专利制度作为知识产权领域中的重要组成部分,以法律形式保障发明创造,使科技成果得以商品化,其巳成为推动科技进步和经济发展的强有力的手段,如何利用专利制度,充分发挥其功能来促进企业的技术进步。本文阐述了专利法的基本内容,介绍了专利制度对企业发展的重要作用。企业要想在激烈的市场竞争中立于不败之地,就必须运用专利制度来不断创新和增强自身的竞争能力。     

一类具复杂偏差变元二阶泛函微分方程的周期解(Ⅰ)

利用重合度理论研究了一类具复杂偏差变元二阶泛函微分方程的周期解的存在性,得到了存在周期解的新结果.     

直流反应溅射制备氧化钆掺杂氧化铈薄膜及其在固体氧化物燃料电池中的应用

物理气相沉积(physical vapor deposition, PVD)工艺可用于制备高质量氧化钆掺杂氧化铈(Gd₂O₃-doped CeO₂, GDC)薄膜。在各种物理气相沉积的方法中，反应溅射具有许多独特的优势，如沉积速率较快且易于大规模扩展实现工业化应用等。本文通过使用钆铈合金(Gd_0.2Ce_0.8 (at%))靶材的反应溅射成功制备了GDC薄膜，并研究了其在固体氧化物电池(solid oxide fuel cell)中的应用，包括作为氧化钇掺杂的氧化锆(yttria-stabilized zirconia, YSZ)与La_0.6Sr_0.4Co_0.2Fe_0.8O_3?δ之间的阻挡层以及作为不锈钢/保护涂层体系中的子层。首先确定了钆铈合金靶材的直流反应溅射行为，随后以NiO–YSZ/YSZ半电池为基体研究了氧气流量对于退火后GDC薄膜质量的影响。研究结果表明反应溅射无需高温烧结即可获得薄且致密的GDC阻挡层，与具有丝网印刷GDC阻挡层的电池相比，具有反应溅射GDC阻挡层的电池显示出了更加优异的电化学性能。此外，面电阻测试结果表明在SUS441连接体和Mn–Co尖晶石保护涂层之间插入GDC子层有助于降低SUS441在工作温度下的氧化速率。