离子注入的概况——新技术评介

序言这里首先阐明离子注入的含义和意义,然后指出其特点和优缺点,进而回顾过去,介绍现状及应用,最后瞻望其将来,使读者对离子注入技术的全局有一定的概括了解。以促进这一先进技术更快的普及和提高,为我国社会主义革命和建设服务。     

As~ 离子注入对非晶Se薄膜表面形貌及光学性质的影响

离子注入于单晶Si已成为制造超大规模集成电路很有成效的技术,离子注入非晶Si也已有所研究,但离子注入于另一类非晶—硫系却很少有报道。为了解这方面的情况,开辟新的应用条件。我们将A~ s离子注入非晶Se研究其光致放电特性及表面形貌与光学性质。光致放电特性已经报道,所以本文着重介绍用光学显微镜及椭偏仪分别研究A~ s离子注入非晶Se的表面形貌及光学性质。     

“十一”型热敏电阻简介

(一)制作过程为了迎接国庆向党献礼,在国庆前夕,我处利用上海创造仪器厂的材料,以白金丝为电极烧结成了这个点状热敏电阻。(二)特性半导体热电皿的竹要特性是其电姐随温度极灵敏的变化,描写这个特性的物理量是:电l胜温度系数二,郎在2了C时,温度改变1"C,电阻相对变化的百分比     

N^＋离子轰击对过渡金属Nb,MO,Ti与Si接触界面的影响

为了适应超大规模集成电路Si太阳电池和超导的需要,作者用■ES和I-V特性研究了N~ 离子轰击对Si衬底上Nb,M0或Ti溥膜的深度分布和电学性质的影响。     

离子注入在集成电路和超大规模集成电路中应用的现状、问题和建议

前言从国际上近年来离子注入应用在IC特别是VLSI中的一些迅速进展,联想到国内的差距和实际存在的一些问题,我想就“离子注入(I/I)在集成电路(IC)和超大规模集成电路(VLSI)中应用的现状、问题和建议”这个题目谈谈自己的见解,对离子注入为集成电路的发展,也许更好一些,不对之处,欢迎批评指正。     

非晶Se及Se/As合金光学和介电性质的椭偏术研究

一前言一个复印品的好坏,首先取决于感光体的电摄影性质,而电摄影性质与感光材料的光学和介电性质密切相关。当前复印机的主要感光材料是Se及其合金,为了提高复印品的质量及复印机的水平,应该研究Se及其合金的光学和介电性质。研究固体材料光学性质的方法很多,我们认为椭偏术是一个很好的方法。它的优点是,根据测得的椭偏参数?和△,可同时求得折射指数n,吸收指数K,消光指数x,吸收     

激光辐照NTD—Si形成P—N结的研究

本文扼要阐述了用CO_2辖续激光辐照NTD—St生成P—N结的具体过程与条件并根据实际数据对其生成机理作了合理分析。     

半导体致冷材料—碲化物、硒化物及其固熔体的制备与其热电性质的初步研究

一、引言继作者之一对半导体制温差发电器及致冷器问题作了原理性的探讨之后,在我国各方面的大跃进鼓舞下,我们根据一些单位(特别是军事单位)的要求,在党的总路线的光辉照耀以发教育方针的指导下,克服着器材的困难于今年开始了此项工作。这项工作进一步的开展不仅具有科学理论的意义,而且在技术上用半导体致冷材料可以作;交通运输上(如飞机、火车等)的冷藏器,无线电元件中的恒温器、军舰、机仓、仓库等的调温设备,科学研究中取得低温、医学上用作冷冻切片装置,由于这些用处较现行取冷     

半导体感光板的制备及其摄影情况

一、前言半导体静电摄影自从1937年发明以来,在资本主义国家尤其是美国已得到广泛研究和应用。苏联亦于1956起开始了大量研究工作并在很短时间赶上了美国。去年12月份一次有关科技会议上并曾作过专门讨论。有关这一工作的介绍及其发展概况已有大量文章论述。