发孔腐蚀工艺对电容器阳极铝箔比容的影响

用H2SO4-HCl腐蚀体系对高纯铝箔在不同条件下进行发孔腐蚀实验,在85℃扩孔腐蚀液中以0.15 A/cm2的直流电流扩孔腐蚀600 s,经化成处理后采用静电容量测试仪测量腐蚀箔的比容.研究了HCl浓度、电流密度、时间和温度对腐蚀箔比容的影响规律,利用SEM分析了腐蚀孔的形态变化.结果表明,随着c(HCl)的增加,比容呈先增大后减小的规律,当c(HCl)=2.0mol/L时,比容达到最大值;电流密度、时间、温度对比容的影响也有与c(HCl)类似的规律,比容达到最大值所对应的电流密度、温度和时间分别为0.6 A/cm2,80℃和140 s.当c(HCl)为3 mol/L,电流密度为0.7 A/cm2时,腐蚀箔出现明显"并孔"现象.     

三维模型数字水印技术研究

数字水印技术是一种实现版权保护的有效方法，已经成为多媒体信息安全研究领域的一个热点。对三维模型数字水印技术几年来的研究情况做一综述，从不同角度描述一些三维模型数字水印算法，并在最后做了总结和展望。