首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8篇
  免费   0篇
综合类   8篇
  2022年   1篇
  2013年   1篇
  2012年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   3篇
  2009年   1篇
排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
狮子座流星雨是比较强的周期性流星雨,出现在每年的11月14-21日.爆发的峰值一般出现在11日左右.电离层偶发E层的成因很复杂,普遍认为流星雨是影响其的因素之一.本文利用武汉电离层观测台DGS256数字测高仪1999-2003年连续5年的观测数据,分析了狮子座流星雨爆发期间,偶发E层出现率的变化情况.得到,在狮子座流星雨爆发当天和之后的1-2天,偶发E层的出现率明显增强.且在流星雨爆发后的1-2天偶发E层出现率的峰值较当天的值大.  相似文献   
2.
以贵州瓮福磷矿废渣和工业废水为研究对象,采用磷钼酸喹啉重量法测定废水中P的含量;采用仪器分析方法测定废渣和水样中重金属元素Pb、Cd、Cr、Cu、As、Hg的含量,磷矿废渣中P含量采用ICP-AES法测定.结果表明,磷矿废渣和废水中P含量分别为1.20%和2.95 g/L,废渣中重金属元素含量依次为Pb> Cr> As...  相似文献   
3.
用简单的一步水热法合成了CuO/ZnO复合纳米结构,通过改变溶液中Cu离子的浓度得到不同CuO含量的样品.用扫描电镜、X射线衍射仪等表征了样品的形貌和结构,用智能气敏分析仪测试了样品对乙醇气体的响应特性.结果表明,相对纯ZnO,CuO/ZnO复合纳米结构对乙醇气体的响应有明显的增强.溶液中Cu离子与Zn离子摩尔比为3:...  相似文献   
4.
设计特殊结构声墙,让经其反射的声波在房屋内形成干涉场,利用声波的干涉相消原理,以达到消声的目的.本文研究这种方法在理论上的可行性,推导出了矩形矩阵结构声墙的声波干涉计算公式,并利用Hatlab编程绘制了公式所对应的图形.通过分析得出结论:特殊结构的声墙能形成声波干涉场,在场内部分区域上降噪在理论上是可行的,这种干涉降噪方法能在某些方面成为主流吸音降噪方法的有益补充,同时也指出了这一方法的局限性.  相似文献   
5.
大气太阴潮汐对ES层和F2层有影响,在ES层和F2层的参数中均发现以太阴半日周期的振荡.通过分析中低纬地区10个台站F2层临界频率(foF2)的太阴半日分量变化,得到以下结论:foF2太阴半日潮有日变化和季节变化.不同的纬度,太阴半日潮的日变化、季节变化不同.武汉foF2太阴半日潮出现最强的月份、武汉中层低热层大气太阴半日潮汐风最强的月份、武汉ES层参数的太阴半日潮最大值出现的月份均相同,这表明,中层和低热层大气太阴半日潮汐和ES层、F2层的太阴半日潮汐有非常强的相关性.  相似文献   
6.
采用水热法在修饰有ZnO种子层的石英玻璃衬底上制备出ZnO纳米片薄膜。利用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射仪、透射电镜和荧光光谱仪对样品的形貌、结构和光致发光性质进行表征和分析,探讨了其形成机理。结果表明,制备的ZnO纳米片为六方纤锌矿型单晶结构,具有沿<101ˉ0>方向的择优取向,其室温下的光致发光谱由尖锐的紫外发光峰(380 nm处)和较宽的可见发光带组成,其中可见光发射可以拟合为中心分别位于550、620和760 nm处的3个发光峰。  相似文献   
7.
用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了纯的和掺杂Ce(1%、2%、5%)的TiO2纳米薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜和紫外-可见分光光度计对薄膜的结构、形貌和光学性能进行了表征。通过紫外光下降解亚甲基蓝的实验,考察了Ce掺杂对TiO2纳米薄膜光催化性能的影响。结果表明,掺杂适量的Ce能有效提高TiO2纳米薄膜的光催化活性,当Ce的掺杂量为2%时,TiO2纳米薄膜的光催化活性最佳。  相似文献   
8.
本文采用中低纬度数个台站的数字测高仪观测数据分析了Es层参数的大气太阴半日变化,结果表明:Es的临界频率(foEs)、遮蔽频率(fbEs)及虚高(h-Es)中均存在太阴半日周期的振荡.foEs和fbEs的太阴半日潮日变化及季节变化趋势非常相似,只是foEs太阴半日潮的幅度大干fbEs太阴半日潮的幅度,两者的相位几乎无差值.中低纬5个台站Es层参数的太阴半日潮幅度和相位的日变化值、季节变化值均不同,随纬度变化.foEs和h'Es的太阴半日潮存在年变化,在不同年份的相同月份,Es太阴半日潮的幅度和相位均有不同.值得提出的是我们还发现武汉foEs和h'Es的太阴半日潮最大值和武汉中层和低热层大气太阴半日潮汐风最大值出现的月份相同.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号