射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性

用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜, 用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征, 分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响. 结果表明, 溅射功率100 W, 衬底温度300 ~ 400℃时, 适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长. 在样品的室温光致发光谱中观察到了380 nm的紫外激子峰和峰位在430 nm附近的蓝光带, 并对蓝光带的起源进行了初步探讨.     

Si1-x-yGexCy合金薄膜电学性能的研究

采用射频共溅射复合靶（Ｓｉ＋Ｇｅ＋石墨Ｃ）技术制备Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ三元合金薄膜,Ｓｉ,Ｇｅ和Ｃ的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在Ｎ２气保护下恒温３０ｍｉｎ后自然降温到室温。通过ＩＲ,Ｒａｍａｎ的ＸＰＳ的测量结果表明,所制备的薄膜中含有Ｓｉ,Ｇｅ,Ｃ３种元素,有较明显的Ｓｉ－Ｃ,Ｓｉ－Ｇｅ,Ｇｅ－Ｃ键合。通过电阻率－温度谱ρ－Ｔ的测量研究薄膜的电学性能,测量了不同Ｃ含量和不     

In掺杂ZnO薄膜的制备及结构特性研究

通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对ZnO薄膜的结构特性的影响.掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜,θ-2θ X射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和C轴择优取向;原子力显微镜测试结果表明样品的颗粒大小和应力同其(002)衍射峰强度有关.薄膜具有较低的电阻率(10-1～100Ω穋m).当In掺杂量为3%时,样品的(002)衍射峰强度最高、压应力较小(7.3×108 N/m2).     

RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜

采用 RF反应溅射法在普通玻璃衬底上制备了具有良好 c轴取向性的透明多晶 Zn O薄膜 .由 X射线衍射技术 (XRD)分析了样品结构与沉积条件的关系 .溅射气体中 O2 分压比 R(PO2 /PAr)和衬底温度 Ts 对 Zn O薄膜的结构有显著和相似的影响 ,达到最佳点之前 ,这两个参数与Zn O薄膜质量是正相关的 ,随后薄膜质量随 R和 Ts 的增大而急剧下降 .在最佳沉积条件下得到的样品 XRD谱中只有 (0 0 2 )一个衍射峰 ,此衍射峰半高宽 (FWHM)仅为 0 .2 0°,由此计算得到晶粒大小为 4 2 .8nm.同时还发现所有薄膜中都有垂直于 c轴的压应变存在 ,并且随着衬底温度的升高而减小 .由薄膜折射率数据计算得到的薄膜堆积密度达到 97% ,在 30 0～ 10 0 0 nm波长范围内样品的平均透过率达到 92 % ,表明样品具有良好的致密度和透明性     

Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金薄膜电学性能的研究

采用射频共溅射复合靶(Si Ge 石墨C)技术制备Si1-x-yGexCy三元合金薄膜.Si,Ge和C的含量用其靶的相对面积来表示,对样品的后退火处理是在N2气保护下恒温30min后自然降温到室温.通过IR,Raman和XPS的测量结果表明,所制备的薄膜中含有Si,Ge,C3种元素,有较明显的Si-C,Si-Ge,Ge-C键合.通过电阻率—温度谱ρ-T的测量研究薄膜的电学性能,测量了不同C含量和不同温度退火后薄膜ρ-T关系的变化,发现随C含量的增加电阻率增大,激活能也增大;450℃退火后电阻率普遍变小,激活能也变小,对这一规律性的结果作了解释     

新型超导体MgB2的真空烧结合成

20 0 1年 1月 10日 ,日本物理学家 JAkimitsu宣布发现了新型超导体 Mg B2 ,临界转变温度为 39K[1 ] .这一发现引起了超导界的极大关注 ,许多实验室迅速对这种超导体展开研究 .Mg B2 是一种金属间化合物 ,仅由两种元素组成 ,室温下电导率高 ,易于加工成型 ,有着非常广阔的应用前景 .更重要的是 ,它的超导转变温度甚至超过了经典 BCS理论所预言的极限 ,给出了在一些二元金属间化合物中寻找高 Tc 超导体的可能性 .由于镁的熔点较低 ,加热极易挥发和氧化 ,所以常规合成存在较大的困难 .为了防止镁的挥发与氧化 ,大多数实验室采用高温高压法…