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1.
用熔融淬冷方法制备Pr^3+掺杂的硫卤玻璃(0.64GeS2-0.16Ga2S3-0.2KBr)1-x -PrCl3)x,x=0,0.001,0.003,0.005.对玻璃进行X射线衍射实验分析、差热分析、红外透射光谱、紫外透射光谱的测试,结果分析表明:Pr^3+掺杂到0.5mol%,都形成良好的玻璃态;掺杂后玻璃的稳定性降低,玻璃的红外透过率增大,截止边不变;玻璃的紫外截止边向短波方向移动;玻璃在588nm处存在吸收峰,对应着Pr^3+的^3H4→^1D2跃迁.  相似文献   
2.
用传统固相反应法制备不同MgO含量的BST陶瓷,并研究MgO掺杂对BST陶瓷结构和性能的影响.MgO掺杂后陶瓷的XRD图谱显示存在单一的钙钛矿结构,且XRD衍射峰随着MgO含量的增加向低角度方向漂移.密度测量表明,MgO掺杂后BST陶瓷的密度有所增加,并且随着MgO含量的增加而增加,FESEM照片也证实MgO掺杂后BST陶瓷的致密性有所增加.介电性能测量结果表明,MgO掺杂后介电常数和介电损耗均减小,介电色散也减弱.介电温谱显示,MgO掺杂后介电峰被压抑和展宽,表明出现扩散相变.14℃时测量的电滞回线表明MgO掺杂后陶瓷的自发极化和矫顽场均减小,说明陶瓷的铁电性能减弱.  相似文献   
3.
介绍固体物理学中面心立方晶格第一布里渊区的三维动画模拟,重点分析了三维动画的设计思想,并展示了部分效果图,最后对动画模拟在教学实践中的效果作了简要评价.  相似文献   
4.
本文讨论了光热偏转方法和实验装置,并且测试了AL表面缺陷样品。实验结果表明:光热偏转法测量物体表面缺陷是一种使用简便、灵敏度高而实际可行的测量方法。  相似文献   
5.
应用传统陶瓷制备工艺制备出Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)粉体,在600~1 140℃范围内对粉体按不同温度煅烧,用X射线衍射分析各煅烧温度下制备出粉体的物相结构,用TG/DTA研究了粉体在煅烧过程中的晶化过程.实验结果表明:粉体在600~900℃煅烧过程中出现3个不同的中间相,900℃附近这些中间相基本消失,BST钙钛矿相开始形成,经过1 000℃煅烧2.5 h,BST粉体已经显示为完全的钙钛矿相,其晶格常数a和c分别为0.397 4 nm和0.398 4 nm,晶胞体积为0.062 9 nm3.随着煅烧温度的升高,粉体的晶格常数和晶胞体积逐渐减小.  相似文献   
6.
最小二乘法在热电偶电势非线性软件补偿中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
详细讨论最小二乘法拟合热电偶E—T曲线软件补偿的计算方法,并自行设计计算机程序.与硬件方法相比具有成本低、易调试、精度高等优点.实践证明,这种软件补偿法误差在0.5℃以下。是一种应用广泛的计算方法.  相似文献   
7.
Sol-Gel方法制备BST粉体的化学机理和晶化过程研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
以钛酸丁酯、醋酸钡、醋酸锶为原料,乙二醇甲醚为溶剂,采用溶胶凝胶法按Ba:Sr=0.65:0.35的组分要求制备了(BaxSr1-x,)TiO3粉体.应用FT-IR、X射线、DTA/TGA等分析手段,研究了Sol—Gel方法制备BST粉体过程中的物理化学过程及其晶化行为.实验结果表明:在BST凝胶中,COO-部分进入了凝胶的空间网络结构,起到一种中间连接体的作用;粉体在750℃时,完全晶化.  相似文献   
8.
高压静电场对植物细胞跨膜电位的影响及机理初探   总被引:5,自引:1,他引:5  
采有平面类脂双层模型分析外加高压静电场对植物细胞跨膜电位的影响,并探讨其微观机理。在生物学基础上,结合能斯特公式及隧道效应导出外加高压静电场与跨膜电位的关系,可以解释相关的实验结果。  相似文献   
9.
使用部分醋酸盐为原料,用改进的溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜.场发射扫描电镜(FESEM)分析发现,薄膜均匀致密,表面无空洞、无开裂,晶粒尺寸约为50 nm.用原子力显微镜(AFM)测量薄膜表面的方均根粗糙度为7.8 nm.用透射电镜(TEM)观察薄膜的断面结构,用阻抗分析仪测试了薄膜的介电性能,其介电常数和介电损耗分别为460和4%(1 kHz).  相似文献   
10.
用R.F.磁控溅射法在石英衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,应用XRD与SEM表征了BST薄膜的晶化行为及其表面形貌.在550℃衬底温度下沉积的薄膜,其表面光滑、晶粒大小分布均匀.应用双光束分光光度计,在200~900nm的波长范围测量了薄膜的透射光谱,并根据“包络法”理论计算薄膜的折射指数.结果表明,随着辐射波长从650nm减小到480nm,薄膜的折射率从2.04增加到2.15;随着波长进一步降低,折射率急速上升,到420nm时,折射率升至2.40,显示出典型的电子带间跃迁的色散曲线.由“包络法”和Tauc关系确定BST薄膜的光学能隙约为3.66eV.  相似文献   
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