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Mo3Si-Mo5Si3共晶硅化物的氧化 总被引:1,自引:0,他引:1
利用循环氧化和原位X射线衍射法,研究了Mo3Si-Mo5Si3共晶硅化物在600-1200℃氧化行为,分析了低温氧化规律和高温氧化瘟疫现象.结果表明,共晶硅化物的低温氧化并没有按照热力学优先顺序反应而是受到了动力学因素的控制,氧化曲线呈直线规律.在1000℃氧化并发生氧化瘟疫现象的试样中发现,孔洞和裂缝等缺陷处优先生成混合氧化物.这种混合氧化物的体积效应导致氧化瘟疫现象的发生. 相似文献
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