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1.
采用瞬态传递矩阵法分析复杂转子系统碰摩故障   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用Raccati传递矩阵和Newmark β法相结合的瞬态传递矩阵法分析碰摩故障转子系统的瞬态和稳态响应,用多次迭代的方法确定瞬时碰摩力的精确值·该方法能够分析多盘、多跨转子系统等复杂的非线性转子系统的碰摩故障,并且可以同时考虑陀螺力矩、非线性油膜力等多种因素的影响·最后利用本方法分析了一个含有非线性碰摩刚度的局部碰摩故障双跨转子系统的运动,发现了其中的拟周期、混沌等丰富的非线性现象,验证了本方法的可行性·  相似文献   
2.
支承松动故障转子系统共振区动态特性分析   总被引:8,自引:1,他引:8  
根据工程实际,建立了松动故障转子系统的非线性动力学模型,利用KBM法对模型进行分析,得到故障转子在共振区的动力学行为特征如共振区提前且持续区间较长,二倍频、三倍频等高次谐波明显以及故障转子系统具有"软式"非线性特性等;分析了支承刚度、转轴刚度等系统参数对松动故障转子系统非线性特性的影响·与已有文献的实验结果比较,结论与实验结果比较吻合·结果可为该类故障转子系统的监测和故障诊断提供参考·  相似文献   
3.
国防基础研究的战略地位、发展特征及主要启示   总被引:2,自引:0,他引:2  
国防基础研究是国防科技创新的源头和武器装备可持续发展的重要保障。本文剖析了国防基础研究的概念内涵,研究了国防基础研究的战略地位,梳理了新世纪新阶段国防基础研究呈现出的发展特征,在此基础上提出了加强我国国防基础研究的几点启示建议。  相似文献   
4.
歧南凹陷地震沉积学研究   总被引:11,自引:2,他引:9  
为了对黄骅坳陷歧南凹陷的沉积体系进行更为精确细致的刻画,利用相位调整、分频解释和地层切片等关键技术,对该区古近系和新近系进行了地震沉积学的研究。结果表明:经过90°相位调整后的地震数据使地震道近似于波阻抗剖面,从而可大大提高剖面的可解释性;利用分频技术得到的一系列频率切片比用常规振幅和相位切片在捕获微小的横向变化和展现不同的沉积特征方面更加有效;歧南凹陷明化镇组下段为曲流河沉积,沙河街组一段为辫状河三角洲沉积,其中曲流河沉积的地层切片展现出支流汇入干流、凹岸侵蚀、凸岸加积、截弯取直和牛轭湖等一系列沉积微相特征;品质好的三维地震资料是地震沉积学的研究基础,在断层不发育的明化镇组河流相地区,应用效果最好。  相似文献   
5.
 美国DARPA着眼"避免外来技术突袭,谋求对敌技术突袭",持续推动重大新兴前沿科技创新,在其国家安全体系中发挥着"科技尖兵"的特殊角色。在新一轮科技革命酝酿发展背景下,科学技术尤其是颠覆性技术发展对国家安全带来新的机遇和挑战。适应科技对国家安全作用机理的深刻变化,必须切实加强重大科技预警,主动谋划新兴科技发展,进一步完善国家安全的科技支撑体系,深入发挥科技创新对经济社会发展和国家战略安全的双重驱动作用。  相似文献   
6.
碰摩转子轴承系统非线性振动特征的实验研究   总被引:12,自引:5,他引:12  
建立了转子碰摩故障的实验装置,通过实验研究了转子系统碰摩故障的非线性振动特征,发现对油膜力影响较小的系统,转定子碰摩使系统产生了半频及高频分量,而对于滑动轴承支撑的系统,较小的碰摩间隙使得系统在油膜涡动之前产生碰摩,系统产生了丰富的高频分量;当碰摩间隙较大时,碰摩在油膜涡动之后发生,此时碰摩对系统的影响很小,轴承油膜力对系统的影响最大·  相似文献   
7.
根据碰摩转子轴承系统的非线性动力学方程,利用求解非线性动力系统周期解的延拓打靶算法,研究了转子偏心、碰摩间隙等参数对系统动力学行为的影响,发现当转子的偏心量较小时,系统同频周期运动以Hopf分岔形式失稳,而偏心量较大时以倍周期分岔形式失稳·系统转定子的碰摩影响了油膜涡动的产生,使系统周期运动的失稳转速提高·为转子轴承系统故障诊断、振动控制及稳定运行提供了理论参考·  相似文献   
8.
非线性摩擦力对碰摩转子-轴承系统混沌运动的影响   总被引:10,自引:1,他引:10  
在考虑轴承油膜力和非线性摩擦力的基础上,构造了具有碰摩故障转子-轴承系统的动力学模型,对碰摩故障转子在运行过程中的非线性行为进行了研究,并分析了转静件间相对速度影响因数对转子分岔与混沌运动的影响·发现随着速度影响因数的增加,在亚临界转速区,拟周期和混沌运动区域增大;在超临界转速区,混沌运动区域减小,碰摩力的作用效果增大,拟周期运动逐渐演变为周期3运动·该结果为转子-轴承系统的故障诊断提供了依据和参考·  相似文献   
9.
以单分散性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微球自组装形成的有序胶体晶体结构为模板, 制备了铟锡氧化物(ITO)有序大孔材料. 以扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及低温N2吸附/脱附等方法对ITO大孔材料的形态及其比表面积进行了表征. 结果表明, 烧结温度在500℃时, 能够得到较为完善的三维ITO大孔材料, 空间排布高度有序, 其有序结构与模板中PMMA微球自组装方式完全相同. 孔径大小均匀(~450 nm), 较之PMMA微球有所收缩, BET比表面积为389 m2 · g-1, 孔容为0.36 cm3 · g-1. 此外, 发现Sn掺杂率物质的量比为5%时, 在真空中退火, ITO大孔材料的导电性能最好, 电阻率为8.2×10-3 W · cm, 初步讨论了ITO大孔材料的导电机制, 认为氧缺位是获得较好电性能的主要原因.  相似文献   
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