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1.
含纳米硅粒氧化硅薄膜的光致发光和光吸收研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用磁控共溅射法制备了含纳米硅粒尺寸不同的氧化硅薄膜。对各种样品测量了光致发光谱,其发光峰住位于655—665nm。通过对样品所作的光吸收测量,确定出了样品中纳米硅粒的光学带隙,并发现光致发光峰位随光学带隙的增加有微小红移。  相似文献
2.
一种新型无磁流量表的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
设计了一种可用于智能水表的基于低功耗16位单片机MSP430fw42x的新型无磁流量检测方案,介绍了这种方案的优点,给出了其工作原理、硬件原理图。  相似文献
3.
镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜.测量显示,随着正向偏压的增加,来自Au/含纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动.  相似文献
4.
溅射含纳米锗氧化硅复合薄膜的光致发光和拉曼特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用射频磁控溅射法制备了含纳米锗的氧化硅复合薄膜,在室温下对不同温度退火的样品测量了光致发光谱,其发光峰位均位于580nm,通过对样品所作的拉曼散射光谱的拟合,确定出了样品中纳米锗的尺寸,并发现纳米锗的平均尺寸随温度退火的升高在增大。  相似文献
5.
氧化多孔硅的发光机制   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用阳极氧化法制备了5种光致发光峰位不同的多孔硅,对该系列样品于400℃氧化处理1,2,4,8min和24min.通过研究其光致发光谱、红外吸收谱和瞬态谱,证明氧化多孔硅的光致发光来源于氧化硅中的发光中心.  相似文献
6.
超高多孔度多孔硅的制备和特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在〈10 0〉和〈111〉硅衬底上 ,用超临界干燥方法制备了超高多孔度的多孔硅 (多孔度大于90 % ) ,并对其光致发光和光致发光激发以及结构进行了研究 .发现光致发光峰位随多孔度增加而蓝移的数值远小于量子限制模型预期的结果 .  相似文献
7.
不同激发波长下多孔硅的光致发光研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用阳极氧化法腐蚀n型Si(111)片,制备了多孔硅样品.利用荧光分光光度计对样品光致发光和光致发光激发特性进行了研究,发现多孔硅样品的光致发光谱上有2个发光峰,其中心分别位于640 nm和565 nm.基于前人的报道和本实验结果的分析,认为多孔硅的光致发光来源于纳米硅颗粒中光生载流子弛豫到其表面态上然后发生辐射复合.进一步通过实验证明,640 nm处的发光峰与纳米硅颗粒表面的Si-O复合物有关,而565 nm处的发光峰与其它发光中心有关.  相似文献
8.
Cu掺杂对ZnO纳米薄膜的结构及其光学特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用磁控溅射法(RF)在玻璃基底上制备了未掺杂和不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜.使用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)分别对样品的形貌进行了表征,并对Zn0薄膜进行了应力分析.结果显示:所有样品都呈现出(002)衍射峰,有较好的C轴择优取向;所有样品出现有3个发光峰,分别对应于400nm(3.14eV,紫光),444nm(2.78eV,蓝光),484nm(2.56eV,蓝光).紫峰的存在与激子的存在有极大关系,而蓝光发射主要是由于电子从导带上向锌空位形成的浅受主能级上的跃迁.随着Cu掺杂量的增加.薄膜的带隙宽度Eg随之减小,样品光学带隙值由3.26eV逐渐减小为2.99eV.实验中还发现,随着Cu掺杂量增加,薄膜的透射率也随之减小.  相似文献
9.
采用磁控共溅射法制备了含不同尺寸纳米硅晶粒的氧化硅复合薄膜.用高分辨电子透射显微镜测定了所制备样品中纳米硅粒的粒径,确定了其光学带隙和光吸收边蓝移量.对样品光吸收边蓝移量进行了理论计算,比较了理论蓝移量与实验蓝移量之间的差异,并进行了相应的理论分析.  相似文献
10.
采用γ射线辐照含纳米硅的氧化硅薄膜,测量了其辐照前后的光致发光谱.用Gauss函数对各发光谱进行了拟合,结果表明各光谱都是三峰结构.γ辐照后,除原有的2个位于800 nm(1.55 eV)和710 nm(1.75 eV)的发光峰峰位几乎未变之外,位于640 nm(1.94 eV)的肩峰被一个很强的580 nm(2.14 eV)的新峰遮盖.根据实验现象与光谱分析,可以认为含纳米硅的氧化硅薄膜的光发射主要来自电子-空穴对在SiO2层发光中心上的辐射复合.  相似文献
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