融入研究性学习思想的半导体物理教学改革与实践

半导体物理由于对先修课程的知识要求高、基本概念多、理论推导繁琐,致使大多数学生对该课程的学习兴趣不高。针对在教学中出现的这种情况,我们实施了一种融入研究性学习思想的半导体物理教学改革。将科研过程中涉及半导体物理知识的一些研究问题与解决方法渗入到半导体物理的教学中,引导学生自主学习,加强理论知识与科研实践的有效结合。该教学方法极大地提高了学生的学习积极主动性,增强了学生的创新意识,收到了良好的教学实践效果。     

网络关系管理与现代工商企业品牌战略研究

网络关系普遍存在于工商企业内部环境与广大的外部环境中,网络关系的变化严重影响着工商企业的品牌战略。工商企业品牌战略应适应社会网络关系的内涵需要,建立自己独特的品牌理念,输入到社会网络关系之中。促进品牌战略实施,有效管理网络关系,实施品牌战略的工商企业要适应社会网络关系的变化及市场变化,进行工商企业体制改革,管理机制不断创新,在网络关系中“嵌入”品牌的CIS,提升品牌美誉度,构建品牌管理机制,加快工商企业的信息化建设,丰富品牌内涵,充分挖掘品牌效益,加快连锁经营,合理链接品牌的过去、现在与未来。     

尼龙6/蒙脱土纳米复合材料在不同温度下的拉伸性能

采用熔融共混方法制备质量分数为4%的蒙脱土尼龙6/蒙脱土纳米复合材料.X射线衍射和透射电子显微镜研究表明:蒙脱土均匀分散在尼龙6基体中,形成具有剥离结构的纳米复合材料;在室温～200℃,当相同的温度和拉伸比拉伸时,尼龙6/蒙脱土纳米复合材料的结晶度均低于尼龙6,蒙脱土在此温度范围内对尼龙6均具有增强作用,这是由于蒙脱土和尼龙6分子间的相互作用限制了尼龙6分子链的运动,使尼龙6不易拉伸所致.     

DC磁控溅射沉积FexN薄膜成分及生长机制

使用直流磁控溅射方法,Ar/N2作为放电气体,在玻璃衬底上沉积FexN薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)、掠入射小角X射线散射(GISAXS)、X射线衍射(XRD)、掠入射非对称X射线衍射(GIAXD)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜的成分和生长机制.实验结果表明,在5%N2流量下获得FeN0.056单相化合物,薄膜中氮原子含量为14%,该值与α"-Fe16N2相中的氮原子的化学计量(11%)接近;GISAXS和AFM对薄膜表面分析表明,随溅射时间增加,薄膜变得愈加不光滑,用动力学标度的方法定量分析结果为:薄膜表面呈现自仿射性质,静态标度指数α≈0.65,生长指数β≈0.53±0.02,动力学标度指数z≈1.2,薄膜生长符合Kolmogorov提出的能量波动概念的KPZ模型指数规律.     

浅析防止地下室渗漏

地下室防水工程渗漏是普遍存在而又棘手的质量问题,它不仅影响地下室的使用功能,而且直接危及整个建筑工程。笔者结合自己的工作实践,归纳出地下室防水工程渗漏的几种主要原因,并提出相关预防措施。     

一种计算纳米CMOS器件中应力致界面态的方法

在纳米CMOS器件中,负栅压温度不稳定性、热载流子注入效应和栅氧化层经时击穿等应力使得Si/SiO2界面产生界面态,引起器件参数的退化.随着CMOS器件不断缩小,这种退化将严重制约器件性能.提出了一种改进的计算纳米CMOS器件中应力产生界面态的方法,能够对应力产生的界面态进行定量描述.该方法在电荷泵基础上测量纳米小尺寸器件初始状态和应力状态下的衬底电流,提取电荷泵电流(Icp),计算出应力产生的界面态密度.测量过程中,脉冲频率固定不变,降低了频率变化所带来的误差.     

用X射线线形精炼法分析纳米晶体的微观结构

利用广角 X射线衍射仪 ,采用单线傅氏线形精炼分析法 ,研究不同制备方法及不同处理条件的纳米晶体的晶粒大小和微观畸变     

浅析公路施工班组安全管理

搞好公路施工安全生产管理,提高全员性的安全意识和防护技能,使安全工作步入规范、科学的运行规道。落实“预防为主”,抓好“源头”管理,将事故消灭在它的孳生地,加强班组安全管理,发挥班组长在安全管理中的作用,就显得非常必要。     

Pb-Sn-Bi三元系α相固溶体的点阵参数

应用X射线衍射法测定了Pb-Sn-Bi三元系Pb基α相固溶体的点阵参数,发现点阵间距与成分呈线性变化,对两批实验数据分别进行回归分析,得到点阵参数-浓度关系的统一解析式: α=0.49495X_(Pb)+0.47813X_(Sn)+0.50629X_(Bi)。其F检验置信度大于99.9％,残余标准差σ=6.4×10~(-5) nm,分析点阵畸变的影响因素表明尺寸效应是控制固溶体点阵行为的主要因素。     

TiNi形状记忆合金薄膜结晶粒子的长大行为

将采用直流磁控溅射方法制备的TiNi薄膜沉积在玻璃衬底上, 在退火温度为500 ℃时, 应用X射线衍射（XRD）和小角X射线散射（SAXS）研究室温溅射的TiNi合金薄膜结晶粒子的长大行为. 结果表明, 薄膜中的晶化粒子约在前13 min以成核的方式生成, 而在13 min后不断长大, R₃G与退火时间t的关系不完全满足Lifshitz’s动力学理论. 