基于DPAVBi的蓝绿光有机电致发光器件

制备了结构为ITO／NPB（40nm）／DPAVBi（znm）／Alq,（30nm）／LiF（0．5nm）／AI的蓝绿色OLED器件．通过改变DPAVBi的厚度,研究其对器件性能的影响．当DPAVBi层厚度为20nm时,器件的性能较好．在电流密度为38．79mA／cm。时,效率为3．32cd／A;在电压为21V时,亮度为8296cd／m。．而且,随着电流密度的增加,四个器件的效率曲线变化非常平缓,说明器件的电流荧光湮没性较弱．当驱动电压从10V增加到21V时,器件的色坐标从（0．27,0．48）变化到（0．25,0．45）,始终处于蓝绿光范围内,色度变化很小．     

超声—Fenton法降解模拟染料废水的实验研究

本研究采用超声-Fenton试剂高级氧化工艺处理甲基橙染料模拟废水，对其主要影响因素及其处理效果进行了实验研究．结果表明，在超声波单独作用下甲基橙溶液几乎没有脱色效果；超声波与Fenton试剂对甲基橙溶液的脱色有耦合作用，超声功率在160W条件下，超声-Fenton法处理甲基橙溶液的脱色效率较单纯Fenton法高20％左右，溶液脱色率在30min内可达90％以上．     

基于CBP掺杂DPIHQZn的有机电致黄光器件

采用锌金属配合物DPIHQZn((E)-2-(4-(4,5-diphenyl-1H-imidazol-2-yl)styryl)quinolin-Zinc),将其掺杂到CBP中作为黄光发射层,制备了黄色有机电致发光器件(OLED),器件结构:ITO/2T-NATA(20 nm)/CBP:x wt.%DPIHQZn(30 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(0.5 nm)/Al,研究了4种不同掺杂浓度(x=5,10,15,20)对黄光器件性能的影响,利用黄光发射层中主体材料与客体材料之间能量转移特性,得到了性能较好的有机电致黄光器件.在相同条件下,当掺杂浓度为15%时,其性能在4组器件中达到最佳,在驱动电压为14 V时呈黄光发射,器件最大亮度达到4 261 cd/m2,最大电流效率为0.84 cd/A,器件的色坐标稳定.     

2.45 GHz与5.8 GHz双频柔性天线的设计

基于聚二甲基硅氧烷(PDMS)柔性基体和有机硅导电银胶, 给出柔性双频微带天线的拓扑结构及制备2.45 GHz与5.8 GHz柔性可穿戴单极子双频天线流程, 并优化天线结构, 对天线性能进行实测表征. 结果表明, 仿真与实测结果基本一致, 双频天线在中心频率2.45 GHz和5.8 GHz处的回波损耗分别为-26 dB和-28 dB.     

调整空穴注入层MeO-TAD厚度改善蓝色OLED的性能

主要介绍结构为MeO-TAD(x nm)/NPB(40 nm)/DPVBi(30 nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5 nm)/AL的蓝色有机电致发光器件,空穴注入层MeO-TAD的厚度x按照0 nm、1.0 nm、1.5 nm、2.0 nm变化,其它层保持不变.当x=2 nm时,其器件性能最好,在15 V时亮度达到最大,为5 876 cd/m2.器件的开启电压较低,在5 V的驱动电压下亮度达到10.5 cd/m2,器件在8 V电压时电流效率达到最大,为3.22 cd/A;且器件的色坐标稳定,在5 V到13 V的驱动电压下几乎不发生改变,稳定在x=0.17、y=0.18附近,属于很好的蓝光发射.     

用声学方法测量气—液混相物质中的含气量

用几种频率的声波测定了气－白油、气－水混相物中的声速度和声透射损失。     

用声学方法测量气液混相物质中的含气量

用几种频率的声波测定了气白油、气水混相物质中的声速和声透射损失。结果发现，声速比值随含气量的增加而变小，但变化幅度不大，不宜用声速比值来反映混相物质中的含气量；而声透射损失随含气量的增加而急剧增大，在气泡大小、分布一定的情况下，可以用声透射损失来反映混相物质中的含气量。     

基于ATP-EMTP的2×27．5kV复线AT牵引网模型建立与分析

本文主要介绍了在ATPDraw环境下如何建立2×27．5kV复线AT牵引网的模型，该模型充分考虑了AT漏抗、线路互感、钢轨对地漏导等因素对牵引网阻抗的影响，并使用ATP-EMTP仿真出在以上因素影响下的牵引网故障短路电流波形，同时应用“AT中性点吸上电流比”及复线“上下行电流比”故障测距方法证明了该模型的实用性．     

直流热阴极PCVD方法制备碳纳米管的工艺研究

文中介绍了以氢气和甲烷作为反应气体,采用直流热阴极PCVD沉积碳纳米管的方法,研究了制备碳纳米管的工艺过程.介绍了沉积碳纳米管的实验设备,给出了制备工艺参数及对基片的选择.在镀有金镍(金镍膜厚分别为20 nm/40nm、40nm/40nm、60 nm/40nm)复合膜的硅片上仅用十几秒的时间就得到了Y型碳纳米管,碳纳米管的直径在20nm到80m之间.