基因扩增仪温度控制系统

为了满足PCR仪温度控制升降速度快,精度要求高等特点,设计一种基因扩增仪的温度控制系统,它以ARM芯片作为核心,由半导体制冷片、调理模块、驱动模块等组成.系统采用WINCE实时操作系统,用Platform Builder 50及Embedded Visual C++作为软件开发平台,采用时间最优的Bang-BangPID控制算法,开发出完全抢占式控制系统,可较好地完成基因扩增仪的热循环过程.经测试结果显示,该系统能够满足基因扩增仪对升降温度以及精度的要求,具有无污染、无噪音、寿命长、界面友好、性能可靠、响应速度快、硬件可剪裁、软件可扩展等特点.     

应力释放诱导的酞菁钴转子阵列

利用低温扫描隧道显微镜研究了酞菁钴(CoPc)分子在Cd(0001)表面上形成的自组装单层和转子阵列.在低温生长的酞菁钴分子单层中发现了应力诱导的3种空位结构:单分子空位、两分子空位和三分子空位.研究发现高温退火会导致结构相变:3种空位结构转变为均匀分布的单分子空位阵列.特别有趣的是,在每个单分子空位内部都存在一个酞菁钴转子.在液氮温度下(78 K),酞菁钴转子围绕着空位中心发生偏心转动;在液氦温度下(4.7 K),转子被冻结在空位的边缘上.     

在Cd(0001)基底上制备单斜相的红荧烯薄膜

利用有机分子束沉积和超高真空-低温扫描隧道显微镜,研究了红荧烯在Cd(0001)表面上的自组装和薄膜生长过程.研究发现:在低覆盖度下单个红荧烯分子斜躺在基底表面,表现出3个不同亮度的突起,并出现了手性特征.随着覆盖度的增加,红荧烯形成自组装的单层结构,每个分子仍保持斜躺的姿态,但单个分子的形貌非常依赖偏压,在高偏压下表现出3个突起,在低偏压下表现出4个突起.之后,第二层的红荧烯发生了取向相变:分子由斜躺变为站立,且在第二层出现了两种不同的结构.第一种是链状分子结构,第二种是一个新的单斜相.特别是,此前曾有人利用第一原理计算预言了该单斜相的存在,但一直没有得到实验证实.此次研究成果可以为制备新型红荧烯发光器件提供新的选择和思路.