我国集成电路科技攻关的回顾与展望

本文总结了我国“六五”、“七五”期间集成电路科技攻关的经验,提出了我国集成电路发展分二步走的战略方针,规划了“八五”重点攻关的研究项目.     

基于SOI的可变电容的特性分析

提出了一种利用二维器件与电路模拟器ISE中的AC分析提取可变电容主要参数的方法,利用它对一种基于SOI的三端可变电容(栅控二极管)进行了模拟研究,并分析了几个主要结构参数对SOI变容管性能的影响.结果显示,栅氧厚度、硅膜掺杂、硅膜厚度等结构参数会对SOI变容管的调节范围和灵敏度有直接影响.在模拟中,还观察到了当栅氧厚度很薄时,多晶硅栅耗尽导致的可调电容的变化范围不规则变化的现象.该研究结果可为SOI可变电容的进一步实验设计和优化以及建模工作提供指导方向和依据.     

一片赤诚育桃李

 黄昆先生是我师从、学习并共事时间最长的一位恩师，他对我的教诲深刻地影响了我一生的治学、做人以及对年轻一代学术接班人的培养。本文描述的点滴回忆，作为对黄昆先生诞辰100周年的纪念。     

深化改革，加强一级学科建设，培养集成电路科学与工程创新型人才

 当今世界的综合国力竞争，归根到底是人才竞争。人才是经济社会发展的第一资源，是创新活动中最积极的因素，是铸就强国的牢固根基，是无惧惊涛骇浪的中流砥柱。实施创新驱动发展的方略，需要一批又一批的创新型人才。     

SOI MOSFET浮体效应与抑制的研究

提出了一个新的物理解析模型分析薄膜ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ强反型上的浮体效应,该模型考虑了器件的各种寄生电流成分,着重研究了浮体电位肛春对其他器件参数和各寄生电流成分的影响,成功地解释了器件处于背界面积累状态时的Ｋｉｎｋ现象和器件的异常击穿机理。根据所建乳体效应物理模型,研究了器件参数对ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ浮体效应影响关系。     

多晶硅电导特性(Ⅰ)

多晶硅的电学特性远比单晶硅复杂。不同作者,如seto和Kamins,关于迁移率与掺杂浓度关系的实验结果是互不一致的。本文认为他们的理论和实验只在一定范围内成立。作者预计迁移率与掺杂浓度关系曲线在中等掺杂浓度范围内应有一个极小值;而在高浓度方面则应存在一个极大值,并且计算了它们所对应的掺杂浓度及其与晶粒大小的关系。     

科技创新与机制创新推动社会跨越式发展

科技创新与机制创新互为动力、互为因果。尽管早在战国时期我国就有了指南针的记载("先王立司南以端朝夕。"《韩非子·有度》),虽然郑和第一次下西洋(1405年)较哥伦布首航(1492年)早     

3.1～10.6 GHz超宽带低噪声放大器设计

采用标准0.35 μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3.1～10.6 GHz的超宽带低噪声放大器.从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计.结果表明,通过合适的电路结构和器件参数选择,可以采用0.35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器.在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB,噪声系数为3.5dB,电路的工作电压为2.5 V,电流消耗为4.38 mA.