微波混频器的数值分析及参量效应的研究

本文利用多次反射法对单管微波混频器进行非线性分析,得到了混频器本征二极管上的电压、电流波形。在此基础上,求得小信号变换矩阵,计算混频器的变频损耗和噪声系数。上述非线性和线性分析包含在一个计算程序中。利用此程序研究了非线性电容引起的参量效应对混频器性能的影响,且与正弦激励本征二极管的情况比较,得出几点结论。     

卫星广播接收机FM-AM直接变换器的计算机辅助分析

本文对一种FM—AM直接变换器电路作了定量分析。在考虑二极管非线性特性影响的条件下,导出了斜率滤波器输出电压与频偏的关系式以及微分增益和微分相位的计算公式。利用计算机对上述特性进行了一系列计算,并由此得出为了减少失真应如何选择工作状态的几点结论。     

热敏电阻接头效率的测量

热敏电阻接头的效率定义为热敏电阻吸收的功率和实际输入到接头的功率之比。由于热敏电阻接头内部不可避免地存在壁损耗,接触损耗和热敏电阻的玻壳损耗等。这个效率不能达到百分之一百。测定热敏电阻接头的效率对于功率计的误差分析及梭准,热敏电阻接头的研制和改进具有重要的实际意义。自1949年Kerns提出这一个问题以来,至1961年止,国外曾先后发表了五篇有关文献,介绍了五种不同的测量或计算方法。本文首先综述了它们的理论基础,介绍了各种测量方法,并在此基础上导出了利用热敏电阻为某一阻值时接头输入端的节点阻抗值直接计算效率的公式。由此公式,不仅得到一种简单的测量和计算方法,而且由公式作出的输入端节点阻抗-热敏电阻阻值曲线符合Ginzton提出的近似直线性。文中列出了用五种不同方法测试三厘米可调谐波导式热敏电阻接头的效率的实验结果,并从实验和计算两方面比较了这些方法的优劣之处。最后,对这些方法的应用以及有待进一步研究的若干问题提出了粗浅的建议。     

优化法求解微波两端口网络[S]参数

一、引言微波两端口网络特性,一般采用散射参数表示。端口输入反射系数和负载反射系数一旦测得,采用一定的方法对他们进行数据处理就可以求出该网络的[S]参数。为测定[S]参数,经典法通常有“三点法”及“多点法”。前者需选择特定的负载——短路、开路及匹配负载,负载的准确与否将直接影响[S]参数的精度。后者不仅可避免由于负载不准确引入的     

一种新型双层电磁带隙结构及其在微波电路中的应用

提出了一种新型双层电磁带隙结构, 并分别用数值和实验的方法对这种结构的特性进行了分析. 在对这种结构单元的电磁特性分析的基础上, 给出了其集总参数等效电路, 并且讨论了这种结构的几何参数对电磁特性和等效参数的影响. 与已有的EBG结构相比, 该结构具有小型化及背向辐射小的特点. 基于单元结构的特性和等效电路, 设计了一种紧凑型转弯线带阻滤波器, 以及带阻型天线双工器. 理论和测量结果显示, 这种结构在微波和射频系统中具有潜在的应用价值.     

电磁带隙结构及左/右手结构的关系研究

提出了两类对偶的周期性电路，并根据色散关系证明了它们通带和阻带的分布情况．在此基础上，绘制了三个有代表性的实例的Brillouin图，用AgilentADS仿真了这三个实例的S参数，用实验验证了其中一个实例的S参数，并与根据色散关系得出的相位特性进行了比较．理论分析和实验证明了两类周期性电路在不同的频率范围内分别表现为电磁带隙特性、右手特性和左手特性，从而揭示了三类结构的内在联系，论证了同一物理结构在不同频段内实现三种特性的可能性。     

GaAsMESFET在液氮温度下的S参数

本文提出一种从常温下的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的Ｓ多数得到液氮温度下的Ｓ参数的方法。首先用给定的常温下Ｓ参数提取出等效电路参数，然后根据已有的实验观测结果得到各参数在液氮温度下的近似线性变化规律，最后得到液氮温度下的Ｓ参数，与文献结果相比一致性较好。     

用于电磁无损检测的三维有限元研究

远场涡流(RFEC)技术是近年来国外兴起的一门新兴管道检测技术,但其机理研究尚不成熟。本文通过对三维电磁场有限元研究,提出了三维涡流场A,u-As-Ψ算法及改进子结构——波阵法,并在此基础上成功地将有限元应用于RFEC三维缺损响应的机理研究。分析与结果表明,文中方法具有通用、简便和计算效率高的优点,所得计算结果对于解释远场涡流响应机理具有十分重要的参考价值。