用“准中性模型”计算硅背表面场太阳电池的特性

本文提出了硅背表面场太阳电池的“准中性”模型.用该模型计算了开路电压及温度系数,与实验符合较好.解释了BSF太阳能电池的开路电压、温度系数较少地依赖于基底电阻率以及开路电压随费米能级差的增加而增加等实验现象.     

真空蒸发微晶硅和无定形硅薄膜电导研究

我们在140K到450K的温度范围内测量了真空蒸发的无定形和微晶硅薄膜的电导,结果显示出氢处理前后两种材料电导温度特性变化的明显差别。本文给出了新的解释并估计出了它们中的缺陷密度。     

最佳退火降温速率时间函数及一些类似过程分析

1 最佳降温率数年前,顾世洧建立了在半导体器件生产中用控制降温速率达到消除晶体缺陷的最佳件: dT/dt=-AnvT~2exp(-U/kT) (1) 式中T为退火过程中的温度;t为降温时间;n为杂质原子密度;v为近邻原子振动频率;U为迁移势垒高度Uk为玻尔兹曼常数;A为一综合常数,为正数。详见文献[1]。本文稍有改动是为简化表达。