首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   28篇
  免费   0篇
丛书文集   22篇
教育与普及   1篇
综合类   5篇
  2023年   1篇
  2018年   2篇
  2017年   2篇
  2016年   2篇
  2015年   1篇
  2014年   3篇
  2012年   1篇
  2010年   1篇
  2009年   2篇
  2008年   1篇
  2007年   2篇
  2005年   2篇
  2004年   2篇
  2003年   2篇
  2002年   1篇
  2001年   1篇
  2000年   1篇
  1989年   1篇
排序方式: 共有28条查询结果,搜索用时 424 毫秒
1.
介绍了一种智能温度巡回检测控制仪的设计原理和实现方法.利用单片机实现二总线数字通信技术,使现场温度测控模块达到集散式分布,大大提高了各检测点布局的灵活性.  相似文献   
2.
由于Java语言自身的一些特点,使得Java字节码的反编译变得非常容易,Java代码的安全问题成了困扰开发人员的一大难题。因此,为了保护Java源代码安全,通过对源代码进行预处理、词法分析、语法分析以及语义分析,对自定义类名、方法名和变量名用"I"和"l"组成的编码进行替换,并在源码文件适当位置加入干扰代码,从而设计并实现了一种基于源代码的Java代码混淆器。实验结果表明,该混淆器具有过程不可逆、混淆方法简单、混淆结果理想等特点,能够实现对Java源代码的保护,为Java代码开发人员提供了一种有效的源代码保护工具。该混淆器还可与字节码加密软件结合使用,进一步保护Java源代码。  相似文献   
3.
4.
研究了08PVRe钢在3.5% NaCl水溶液中的腐蚀疲劳行为,通过在阳极极化、阴极极化和腐蚀电位三种不同的电化学条件下对试样腐疲劳裂纹扩展速率的测量,揭示了瞬态极化电流的变化、腐蚀疲劳与电化学效应的关系。  相似文献   
5.
以InCl3·4H2O和NaOH为原料,在70℃利用液相沉淀反应合成前驱体,再经煅烧得到In2O3纳米粉体.利用SEM对其形貌进行表征,用XRD分析了不同煅烧温度对合成In2O3粉体尺寸的影响,最后在静态配气测试系统上检测元件的气敏性能.结果表明:该法制备的In2O3纳米粉体具有立方晶系结构、纯度较高、颗粒均匀呈球形、分散性好等特点,平均粒径60nm左右,并且In2O3气敏元件对酒精具有最高的灵敏度,在4.5V工作电压下对10×10-6浓度的酒精灵敏度达24.  相似文献   
6.
以超顺磁Fe3O4纳米团簇为磁核,在传统St(o)ber法的基础上引入超声辅助制备具有核-壳结构的单分散SiO2/Fe3O4复合磁性微球,并使用XRD、TEM、VSM等测试方法,着重研究了超声功率对SiO2/Fe3O4复合磁性微球分散性、形貌、结构、磁性能的影响.研究结果表明:引入超声可极大改善磁性微球的分散性,随着超声功率的增加,复合微球团聚逐渐变少、SiO2包覆层变薄、空白球减少,但功率过大时,无核-壳结构的SiO2/Fe3O4微球出现;当超声功率为20%P时,SiO2/Fe3O4复合磁性微球各项性能(分散性、磁性能)最优.  相似文献   
7.
研究了一种气体传感器静态测试系统的电路设计原理和测量方法.采用匹配电阻串联分压的测试原理和微处理器程序控制技术,设计了匹配电阻自动切换电路和高精度工作电源、加热电源电路.提高了系统测试精度和测试范围.系统测试电路简单可靠;电源电压连续可调,可适应不同种类气体传感器的测试需求.  相似文献   
8.
自动配料系统的设计与实现   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了自动配料系统的技术原理、结构组成,并给出了其技术指标;为工程所需配置一台或多台配料秤及其相应设备构成不同规模的自动配料系统提供了技术依据。  相似文献   
9.
用化学腐蚀的方法把ZnO/In_2O_3核壳结构中的ZnO纳米棒除去形成多孔中空棒状的In_2O_3纳米结构,探讨化学腐蚀中ZnO核恰好完全去除,且壳层In_2O_3中空形貌不被破坏时HCl的最佳浓度。采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜对产物的物相、微观形貌进行表征。结果表明:pH=1的HCl既可保证ZnO完全去除,又不影响In_2O_3多孔中空形貌。  相似文献   
10.
阻变存储器(resistive random access memory, RRAM)以其结构简单、操作速度快、可缩小性好、易三维(3D)集成、与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势成为下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一,但基于阻变存储器无源交叉阵列中的交叉串扰问题影响了其实现高密度存储的应用和发展.本文简单介绍了阻变存储器交叉阵列中的串扰现象,详细综述了避免无源交叉阵列串扰的1D1R(one diode one resistor)结构、1S1R(one selector one resistor)结构、背靠背(back to back)结构及具有自整流效应的1R(one resistor)结构.同时,对基于阻变存储器无源交叉阵列实现高密度存储的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号