AsCl_3/Ga/H_2系统GaAs外延片的高分辨率深能级瞬态谱研究

用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.     

非等温空腔法确定固体材料的比辐射率

本文讨论一种确定固体材料比辐射率的方法。在被测材料的表面开一个圆柱形空腔,并在其背面均匀加热。联立求解腔壁的辐射换热和体内的热传导方程,求得温度场分布和腔底的有效辐射。结果表明,腔底的有效辐射是比辐射率、腔深和半径之比以及一个表示温度梯度的参数的函数。文中讨论了能量辐射和光子辐射两种情况。在实验中,用热象仪测量材料表面和腔底的有效辐射。由理论分析结果和实验测定的有效辐射,求得材料的比辐射率。     

电解过程的瞬态现象

本文研究了铅锡合金(重量百分比40:60)在KOH溶液中电解过程的瞬态特性,提出了电荷输运的电畴模型来说明实验现象的机理。