离子辐照与发光多孔硅

报道了离子辐射损伤地多孔硅的形成及其发光性质的影响，硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅，注入剂量增加，光荧光谱强度减弱，谱峰红移，半高宽减小，如果样品被非晶化将不发光，因此，为离子注入控制多孔硅发光图形的形成提供了物理依据，制成的图形分辨率达２μｍ。     

MOCVD多晶GaAs的生长与分析

用MOCVD技术在无定形绝缘衬底上生长了多晶GaAs薄膜,并对其进行了TEM,X-射线衍射,AES和ESCA等多种分析。结果表明,用MOCVD技术可以在无定形衬底上生长大面积的多晶GaAs薄膜,其表面光亮平坦,结构致密均匀,保持GaAs的化学计量。     

SiO2薄膜注Si^＋后的蓝光发射

由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2.薄膜中注入高剂量Si~+,获得了约为2.0eV的光致发光.假如SiO_2薄膜还可以发射绿光和蓝光,则为全色显示提供了必要条件.虽然某些SiO_2块体材料在低温下存在～2.7eV的光致蓝光峰,但有人报道SiO_2薄膜中不存在～2.7eV的蓝光发射.我们采用离子注     

多晶硅CWAr^＋激光再结晶功率窗的探讨

近年来在绝缘衬底上激光再结晶的多晶硅膜内制作SOI器件受到广泛重视.人们对SOI结构的制备及性质,尤其是对多晶硅层和绝缘衬底间的界面面性质进行了广泛的研究.作者曾提出激光功率窗口的概念,激光功率在这个窗口内,才能制出性能良好的SOI再结晶材料.降低窗口对应的功率,拓宽功率窗口是SOI材料和器件制备中的重要问题.     

用钛硅化过程中释放的空位消除离子注入射程端缺陷

在顶非晶化硅衬底上淀积Ti金属膜,经600℃及850℃.60分钟退火形成硅化钛.在Ti硅化过程中释放的空位能消除硅衬底上的射程端缺陷.而没有淀积Ti膜的预非晶化硅样品,即使退火温度高达1000℃,射程端缺陷也不能完全被消除.     

无序衬底上多晶硅激光辐照再结晶

本文比较了连续Ar离子激光器和CO_2激光器辐照下多晶硅在SiO_2上的再結晶,分析了纵向散热和横向散热对再结晶的不同作用。在不同条件下可以发生固相或液相两种再结晶过程。液相再结晶可以得到较大的晶粒。Ar离子激光用于多晶硅有明显的优越性,但是充分利用CO_2激光的特点也能得到较好的结果。     

硼离子注入硅瞬时退火

本文对于注硼硅瞬时退火作了较全面的研究。对退火的样品进行了离子探针分析、电子显微镜观察、霍耳测量和四探针测量,并把实验结果和一般热退火样品作了比较。结果表明,瞬时退火除了具有一般高温炉热退火的优点,如简便易行,退火均匀等,还具有晶体缺陷更少。杂质推移极小等优点。这是一种有希望的退火方法。     

激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的测定

我们用常规的高频和准静态C-V技术测量了氩离子激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面的氧化物固定电荷密度N_f和界面态陷阱密度N_(it)。结果表明,和未再结晶的热退火样品相比,激光再结晶后,背界面的界面态密度大幅度下降。该界面态性质还与二氧化硅的生长方法和条件有关。在硅单晶抛光片上用氯化氢氧化法或三氯乙烯氧化法热生长约1400A的SiO_2层,然后用低压化学气相淀积法淀积约5000A多晶硅薄膜。使用氩离子激光器连续扫描辐照样品,功率选用4.5W、扫描速度2cm/s、束斑直径40μm,交叠50％,衬底温度300℃—400℃。经激光再结晶后多晶硅薄膜的晶粒由原来的100A长大到数微米。