纳米硅薄膜的电致发光研究

纳米硅薄膜的电致发光研究李雪梅，魏希文，邹赫麟，俞明斌，何宇亮（大连理工大学物理系１１６０２４）（北京航空航天大学１０００８３）关于硅材料在室温下的光致发光现象的机理，人们已经普遍认为量子限制效应是真实的．这些硅材料必须具有的基本要求是：（１）线度小...     

亚毫微秒速度高均匀性多元逻辑电路的研制

就如何同时实现多元逻辑电路中线性“与或”门的高速和高均匀性进行了理论分析和实验验证，理论分析给出了平均延迟时间和均匀必的函数表达式；指出在影响电路速度和均匀性的诸多因素中，复合晶体管的发射结面积是一个关键因素，并依此进行了样品电路的优化设计和工艺制造，测试结果表明，单门平均延迟时间为0．22ns，功耗延迟积为0．55pJ，在输入一致条件下（0－4V），各单门电路之间输出不均匀性误差小于等于4mV。     

半导体器件中的优质多晶硅薄膜的生长及其检测方法

本文介绍了半导体器件中的优质多晶硅薄膜的生长以及在生长多晶硅薄膜的同时怎样来监控淀积温度；用我们自己研制的高精度半导体流量计来测量反应气体和运载气体的流量。文章还从实验和理论上分析了影响多晶硅薄膜生长速率的因素。     

一种新型的霍尔效应测试装置

采用Vanderpauw提出的测量霍尔效应的方法〔1,2〕,利用低温和变温技术进行霍尔分析,已经成为研究半导体微观结构的有效方法。1979年美国凯茨利(Keithley)公司已研制成功霍尔效应的全自动化装置。国内由于低温等条件的限制,这项工作开展较晚。因为该类型装置涉及低温、控温、测温、真空和电磁等多门技术,所以长期以来一直存在结构庞大繁杂,不易操作等问题,影响了应用研究的进展。我们研制成功的DH82型低温变温霍尔测试装置,较好地解决了这些问题。通过两年来的使用,证明了该装置具有结构合理、成本低,操作简便、测试精度高等优点,是一种简…     

基于气候和土壤要素的中国耕地适宜性指数构建

中国历史土地利用的重建工作主要分为数据重建和空间重建,而建立具有空间指示作用的参数对于历史土地利用的空间重建具有举足轻重的指示意义.本文基于此想法,参考前人经验,构建了一套耕地适宜性指数,作为历史土地利用空间重建的基础.首先通过分析影响耕地时空分布的多种自然要素和人文因素,从中厘定土壤和气候这2个关键要素,然后基于此构建了一套计算耕地适宜性指数的方法.通过获取的气候适宜性与土壤适宜性的空间分布图与实际土地利用的相关性分析验证了这2个要素的一定代表性.本文最终的结果代表自然状态下耕地分布的最初可能性,具体特征有:1)对耕地分布起影响的气候适宜性分为4个等级的块状分布;2)对耕地分布有影响的土壤适宜性比较零散,但是大体还是以秦岭-淮河一线为分界线,呈现北高南低的分布;3)对于不同地区耕地分布,影响的主导因素有区别,西北为土壤要素,东南为气候要素;4)耕地适宜性最高的地区基本集中在华北平原、长江中下游平原区域,而青藏高原地区的适宜性最低.结合人口、经济等因素,这样一套耕地适宜性分布图对历史土地利用空间分布有重要的空间指示作用.     

纳米硅簿膜制备工艺的研究

采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术，在超高真空系统中，使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体，利用Ｒ．Ｆ．＋Ｄ．Ｃ．双重功率源激励，通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜。根据对薄膜样品结构的测定及其制各工艺条件，分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响，从而使纳米硅簿膜的制备工艺趋于完善。     

纳米硅光致发光的研究

纳米硅光致发光的研究万明芳，魏希文何宇亮（大连理工大学物理系）（北京航空航天大学半晶态物理研究所）自从报道了多孔硅的光荧光（ＰＬ）以来，发光硅材料的研制以及硅材料发光特性的研究引起人们极大的关注．已经报道的两种发光的硅材料，即多孔硅和镶嵌在硅氧化物质...     

单晶-多晶硅P~+N结二极管基区载流子的寿命

本文研究了单品－多晶硅Ｐ＋Ｎ结二极管基区载流子寿命与掺杂浓度、晶粒大小 的关系。在重掺杂 Ｐ型单晶硅上，用 ＬＰＣＶＤ法生长多晶硅薄膜，离子注入磷后， 形成 Ｐ＋Ｎ结。掺磷浓度从 ５．４×１０１４ｃｍ－３变化到 ６．０×１０１８ｃｍ－３，相应二极管的 基区少数载流子寿命从１．４×１０－１０Ｓ减少到７．５×１０－１３ｓ并且随着晶粒尺寸的增加， 寿命变大。实验结果和 Ｈｏｗａｒｄ Ｃ．Ｃａｒｄ等人对 Ｎ型多晶硅少数载流子寿命随掺 杂浓度、晶粒大小变化的理论相符合．     

树脂相分光光度法测定水中痕量铁

提出了以树脂相分光光度法测定水中铁的新方法 ,研究了铁离子 (II)与 5 硝基 1,10邻二氮菲 (5 NO2 phen)形成稳定有色络合物后 ,将其富集在阳离子树脂上 ,测定铁的实验条件 .在pH =4～ 9时 ,于最大吸收波长 5 2 0nm处测量 ,表观摩尔吸光系数可达 5 .1× 10 6L·mo1-1·cm-1,用于测定水中铁的含量 ,结果令人满意 .     

未耗尽载流子对P-N结反向特性的影响

一般处理P-N结反向问题时,认为P-N结中载流子是完全耗尽的。在P-N结发生击穿以前用这模型来描述是接近于实际情况的。但是在处理有些P-N结反向问题时,不能认为P-N结中载流子是完全耗尽的。例如Miller指出二极管雪崩击穿时,由于不能忽略迁移载流子对空间电荷的贡献,会导致一个等效串联电阻的存在。