软件开发方法演变的几个主要因素

文章分析了促使软件开发方法演变的几个主要因素:观念的转变和思维创新、借鉴其它领域的有效方法、新问题出现并解决的过程、开发工具的更新。根据分析,提出了构建新的软件开发方法的思路。     

计算机专业学生的创新思维培养

计算机的发展离不开创新 ,如何提高学生的素质 ,培养学生的创新思维能力 ,是每个高校计算机教师必须思考的问题。本文讨论了培养计算机专业学生创新思维能力应该注意的几个问题 ,探索提高计算机专业学生创新思维能力的途径     

海岸海岛重要基地图像型火灾探测系统研究

针对当前海岸海岛重要基地防火方法不能适应实际需求,提出了基于云计算的图像型火灾探测系统.作为一种新的服务计算模式,其具有弹性计算、简化应用和降低成本的特点,然后对云模式图像型的火灾探测系统行了深入的研究,提出了系统架构,探讨了火灾探测的功能服务设计,提出了云模式火灾探测中关键阶段融合多种数据处理技术提高探测准确率的方法.最后借助开源Hadoop平台,对系统方案进行了有效验证.     

非磁性/磁性掺杂剂对SnO2体系的性能调控

本文通过第一性原理计算在GGA + U 框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质. 计算得到的形成能结果表明, V元素单掺杂体系比Li元素单掺杂体系更稳定. 其中, VO存在的掺杂体系稳定性更高, 而VSn对掺杂体系的稳定性不利. 磁性分析表明, Li掺杂体系的磁矩大于V掺杂体系的磁矩. 当有点缺陷存在时, VSn的加入显著提高了掺杂体系的磁性, 而VO对非磁性金属元素/磁性金属元素掺杂体系的磁性影响不同：当VO存在于Li掺杂体系时, Li原子周围的O原子自旋极化减少, 因此导致磁矩降低;当V掺杂体系中有VO存在, 磁性不仅来源于V原子的自旋极化, 同时来源于VO周围的O原子的自旋极化,因此磁矩增大. 结合电子结构分析可知, Li掺杂体系的磁性是由O-p和Li-p轨道之间的双交换作用产生的, V掺杂体系的磁性是由O-p和V-d轨道之间的双交换作用产生的. 键合分析发现VO的存在可以提高两种金属掺杂体系键(Li-O和V-O)的共价性. 在可见光区域内, Sn15LiO32和Sn15VO32具有较高的光学透明度. 以上这些结果为非磁性金属元素(Li)和磁性金属元素(V)及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2在自旋电子器件中的应用提供了新的思路.     

通用的计算机语言课辅助教学试题库系统的设计

计算机语言课辅助教学试题库系统的建设是实现教育技术现代化的一个重要方面,本文叙述了根据各门计算机语言课的考试题型特点,设计通用的计算机语言课辅助教学试题库系统的方法.     

软件开发采用的一些基本思维方法

软件开发与思维方法密切相关,采用正确的思维方法,是软件开发活动取得成功的前提。分析了软件开发所采用的一些基本思维方法,包括:"全面地系统化考虑问题"、"通过构建模型来分析、理解和解决问题"、"层次化分解与合成"、"先考虑整体、后考虑局部"、"反复实践、逐步深化、逐步完善"、"重复使用"、"突破旧观念束缚、勇于创新"等思维方法。     

制度变迁：1930年前后关中地区的水利改革——以泾惠渠的修建和小型水利改革为例

封建社会时期,我国关中地区逐渐形成了水利治理的正式制度与非正式制度,它们分别代表着国家和地方的水利治理原则。而1930年前后进行的一系列水利改革,却力图打破传统的水利运作机制,建立国家掌控下的层级水利制度。以此次水利改革为研究案例,探讨国家如何看待传统乡村水利治理的非正式制度,以及如何在乡村水利治理中推行并确立水利治理的正式制度,以及两者之间是否协调,如何推动问题解决机制的演进,对于我们了解民国时期关中水利设施的治理无凝是有帮助的。