聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制

一种聚酰亚胺薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功，这是一个ｎ沟道增强型器件，具有曲折栅结构；沟道长约１０μｍ，宽〉８００μｍ，栅区绝缘层厚约３００ｎｍ（ＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４）；一个Ａｕ－ＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上，本文报道该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计；工作原理和主要性能并对某些有关问题进行了初步讨论。     

聚酰亚胺（PI）薄膜电容型湿度传感器的研制

高分子薄膜湿度传感器是当今可实用的性能较优越的一类湿度传感器.一般所用的感湿材料,以醋酸纤维系为主(CA,CAB).聚酰亚胺(PI)于六十年代开始用作电器绝缘材料,七十年代用于微电子器件的表面钝化和PMP技术的多层布线,八十年代起替代SiO_2作电子器件绝缘介质.1982年后应用于湿度传感器作为感湿材料.与醋酸纤维系材料相比,PI具有以下特点:     

聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制

一种聚酰胺（ＰＩ）薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功。这是一个ｎ沟道壁强型器件，具有曲折栅结构，沟道长约１０μｍ，宽〉８０００μｍ；栅区绝缘层厚约３３０００Ａ（ＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４）；一个ＡｕＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上，本文叙述了该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计，工作原理和主要性能，对某些有关问题进行了初步讨论。