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本文介绍了应用电荷抽取效应测量MOS晶体管中少子复合寿命的方法.这种方法的优点是可以测定经过整个制造工艺过程后MOS晶体管中的少子体复合寿命和表面复合寿命,而且测试设备和数据处理都比较简单.文中给出了我们在室温和液氮温度下的初步测量结果,并对结果和方法本身进行了一些讨论. 相似文献
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